[發(fā)明專利]適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210547866.5 | 申請日： | 2012-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN103066152A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃書斌;錢峰;汪燕玲;連維飛;魏青竹 | 申請（專利權(quán)）人： | 中利騰暉光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;B41M1/12;B41M1/26 |
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| 地址： | 215542 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 適用于 太陽能 高方阻 電池 電極 制造 方法 | ||
1.適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟①，在硅片表面制作絨面；
步驟②，對硅片進(jìn)行清晰后，將硅片置入擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散工序，在硅片表面形成高方阻發(fā)射結(jié)；
步驟③，去除硅片邊結(jié)；
步驟④，在高方阻發(fā)射結(jié)表面制作氮化硅膜；
步驟⑤，電極、電場共燒處理；
步驟⑥，進(jìn)行柵線印刷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于：所述的步驟①中通過硝酸、氫氟酸混合液或是氫氧化鈉溶液制作絨面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于：步驟②中采用鹽酸、氫氟酸溶液清洗，擴(kuò)散工序?yàn)?，溫度?00～900℃，通入氣體為氮?dú)狻⒀鯕狻⑷妊趿谆旌蠚怏w，處理時(shí)間為30-90分鐘，在硅片表面形成65-100Ω/sqr高方阻發(fā)射結(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于：所述的步驟③中利用濕法刻蝕或是等離子刻蝕設(shè)備去除硅片邊結(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于：所述的步驟④中采用PECVD設(shè)備在高方阻發(fā)射結(jié)表面制作氮化硅膜，膜厚為80-90um，折射率為2.0-2.15。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于：所述的步驟⑤中采用絲網(wǎng)印刷設(shè)備制備正、背面電極以及背面電場，通過燒結(jié)爐進(jìn)行電極、電場共燒處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于：所述的步驟⑥中硅片中心處方阻值較高的區(qū)域，采用密集的柵線印刷圖形，硅片邊緣處方阻值較低的區(qū)域，采用次密的柵線印刷圖形，所述密集的柵線的根數(shù)大于次密的柵線，所述密集的柵線相互之間的間距小于次密的柵線相互之間的間距。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于：所述次密的柵線印刷圖形采用逐次降低柵線間距的方式向密集的柵線印刷圖形過渡。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網(wǎng)版制造方法，其特征在于：所述次密的柵線印刷圖形與密集的柵線印刷圖形均劃分為1-10個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域均采用不同的柵線間距。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
