[發明專利]適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法

有效

• 申請號: 201210547866.5
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103066152A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 黃書斌;錢峰;汪燕玲;連維飛;魏青竹
• 申請（專利權）人: 中利騰暉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B41M1/12;B41M1/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟①，在硅片表面制作絨面；

步驟②，對硅片進行清晰后，將硅片置入擴散爐中進行擴散工序，在硅片表面形成高方阻發射結；

步驟③，去除硅片邊結；

步驟④，在高方阻發射結表面制作氮化硅膜；

步驟⑤，電極、電場共燒處理；

步驟⑥，進行柵線印刷。

2.根據權利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于：所述的步驟①中通過硝酸、氫氟酸混合液或是氫氧化鈉溶液制作絨面。

3.根據權利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于：步驟②中采用鹽酸、氫氟酸溶液清洗，擴散工序為，溫度為800～900℃，通入氣體為氮氣、氧氣、三氯氧磷混合氣體，處理時間為30-90分鐘，在硅片表面形成65-100Ω/sqr高方阻發射結。

4.根據權利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于：所述的步驟③中利用濕法刻蝕或是等離子刻蝕設備去除硅片邊結。

5.根據權利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于：所述的步驟④中采用PECVD設備在高方阻發射結表面制作氮化硅膜，膜厚為80-90um，折射率為2.0-2.15。

6.根據權利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于：所述的步驟⑤中采用絲網印刷設備制備正、背面電極以及背面電場，通過燒結爐進行電極、電場共燒處理。

7.根據權利要求1所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于：所述的步驟⑥中硅片中心處方阻值較高的區域，采用密集的柵線印刷圖形，硅片邊緣處方阻值較低的區域，采用次密的柵線印刷圖形，所述密集的柵線的根數大于次密的柵線，所述密集的柵線相互之間的間距小于次密的柵線相互之間的間距。

8.根據權利要求7所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于：所述次密的柵線印刷圖形采用逐次降低柵線間距的方式向密集的柵線印刷圖形過渡。

9.根據權利要求7所述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其特征在于：所述次密的柵線印刷圖形與密集的柵線印刷圖形均劃分為1-10個區域，每個區域均采用不同的柵線間距。