[發明專利]芯片堆疊結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210547852.3
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103066041A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 陳崢嶸
• 申請（專利權）人: 三星半導體（中國）研究開發有限公司;三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;郭鴻禧

1.一種芯片堆疊結構，其特征在于所述芯片堆疊結構包括：

基板；

焊球，形成在基板下方，用于電連接到外部電路；

硅通孔芯片和非硅通孔芯片，交替地設置在基板上方；

第一通孔，形成在硅通孔芯片中，用于非硅通孔芯片的電連接；

第二通孔，形成在硅通孔芯片中，用于非硅通孔芯片和硅通孔芯片中的至少一種的電連接；

第三通孔，形成在硅通孔芯片中，用于硅通孔芯片的電連接；

導電支撐結構，位于硅通孔芯片之間，用于支撐硅通孔芯片和非硅通孔芯片，并用于硅通孔芯片和非硅通孔芯片之間的電連接。

2.根據權利要求1所述的芯片堆疊結構，其特征在于所述導電支撐結構的厚度與所述非硅通孔芯片的厚度基本相同。

3.根據權利要求1所述的芯片堆疊結構，其特征在于在所述導電支撐結構中形成導電通孔，所述導電通孔與第二通孔或第三通孔電連接。

4.根據權利要求1所述的芯片堆疊結構，其特征在于所述導電支撐結構為形成在硅通孔芯片下方的臺階結構，所述臺階結構與硅通孔芯片是一體的。

5.根據權利要求1所述的芯片堆疊結構，其特征在于所述導電支撐結構為形成在硅通孔芯片和非硅通孔芯片之間的單獨元件。

6.根據權利要求1所述的芯片堆疊結構，其特征在于所述導電支撐結構的高度適于在硅通孔芯片之間插入非硅通孔芯片。

7.一種芯片堆疊結構的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：

提供硅通孔芯片和非硅通孔芯片，在硅通孔芯片中形成有第一通孔、第二通孔和第三通孔；

將硅通孔芯片和非硅通孔芯片交替地層疊在基板上，并且在硅通孔芯片之間設置導電支撐結構，

其中，第一通孔用于非硅通孔芯片的電連接，第二通孔用于非硅通孔芯片和硅通孔芯片中的至少一種的電連接，第三通孔用于硅通孔芯片的電連接。

8.根據權利要求7所述的制造芯片堆疊結構的方法，其特征在于所述導電支撐結構為形成在硅通孔芯片下方的臺階結構，所述臺階結構與硅通孔芯片是一體的。

9.根據權利要求7所述的制造芯片堆疊結構的方法，其特征在于所述導電支撐結構為形成在硅通孔芯片和非硅通孔芯片之間的單獨元件。