[發明專利]脊型光波導的制造方法

在審

• 申請號: 201210547273.9
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103869415A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 黃新舜
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: G02B6/13
• 分類號: G02B6/13
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種脊型光波導的制造方法。

背景技術

現有的脊型光波導一般是利用活性離子蝕刻法制造，其首先通入四氟化氮(CF₄)與氧氣(O₂)，再加上高頻電壓，以解出氟離子而成為電漿，利用氟離子的動能和化學反應能力很強的特性進行蝕刻。但是，這種蝕刻方法中，CF₄與O₂的比例不同所產生的蝕刻效率和品質也會不同，要找出最佳比例尤為復雜，另外，該制程設備昂貴，不適合量產。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種制程簡單，制造成本低的脊型光波導的制造方法。

一種脊型光波導的制造方法，其包括以下步驟：

提供一個基底；

在該基底上鍍一個蝕刻阻抗層；

將設置有該蝕刻阻抗層的基底浸入第一種蝕刻液中進行濕式蝕刻形成一個脊型結構；

去掉該蝕刻阻抗層；

在該脊型結構上鍍一個鈦金屬層；及

對該鈦金屬層進行高溫擴散，使該鈦金屬層擴散到脊型結構內。

本發明的脊型光波導的制造方法，通過在基底上設置蝕刻阻抗層，再進行濕蝕刻，最后進行鈦金屬層的擴散，整個制程簡單，由于采用化學蝕刻，制造成本較低，適合量產。

附圖說明

圖1為本發明提供的脊型光波導的制造方法的制程示意圖。

圖2為本發明提供的脊型光波導的制造方法的流程圖。

主要元件符號說明

基底10頂面101脊型結構110蝕刻阻抗層20鈦金屬層130

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步的詳細說明。請參閱圖1及圖2，本發明實施方式提供的脊型光波導的制造方法，其包括以下步驟：

S10：提供一個基底10；

該基底10呈矩形。由于鈮酸鋰擴散金屬鈦(單質)可以形成折射率漸變型的加載光波導，因此，該基底10的材料采用鈮酸鋰晶體。

S12：在該基底10上鍍一個蝕刻阻抗層20；

其中，該蝕刻阻抗層20鍍設于該基底10的頂面101上。該蝕刻阻抗層20沿著該基底10的長度方向設置于該基底10的頂面101的中間區域。本實施方式中，該蝕刻阻抗層20采用鉻金屬。具體地，是先將該頂面101上整個表面旋轉鍍上阻抗，再利用曝光顯影的方式留下該蝕刻阻抗層20。

S14：將設置有該蝕刻阻抗層20的基底10浸入第一種蝕刻液中進行濕式蝕刻形成一個脊型結構110；

由于該基底10為鈮酸鋰晶體，則該第一種蝕刻液為氫氟酸。在蝕刻過程中，由于該基底10的一部分被該蝕刻阻抗層20所覆蓋，被覆蓋的部分以及該蝕刻阻抗層20均不會被蝕刻掉。其中，蝕刻該基底10的高度為2微米~3微米時，該基底10的蝕刻時間大約為4小時。

S16：去掉該蝕刻阻抗層20；

具體是將蝕刻阻抗層20浸入第二種蝕刻液中。本實施方式中，該第二種蝕刻液為含有硝酸的鉻蝕刻液。該步驟所用的時間約為10~20分鐘。

S18：在該脊型結構110上鍍一個鈦金屬層130；

S20：對該鈦金屬層130進行高溫擴散，使該鈦金屬層130擴散到脊型結構110內。