[發(fā)明專利]上電復(fù)位電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210546554.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103873036B | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳科含;曹銘原;林當(dāng)清;郭世州 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 普誠(chéng)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/22 | 分類號(hào)： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北縣*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復(fù)位 電路 | ||
1.一種上電復(fù)位電路，其特征在于，包括：
一第一阻抗裝置和一第一開關(guān)，彼此串連后耦接于一電源節(jié)點(diǎn)及一第一節(jié)點(diǎn)之間；其中，該第一開關(guān)的一控制端耦接該電源節(jié)點(diǎn)；
一第一電容器，耦接于該第一節(jié)點(diǎn)與一參考接地之間；
一第二開關(guān)，耦接于該第一節(jié)點(diǎn)與一連接節(jié)點(diǎn)之間，且該第二開關(guān)的控制端耦接該電源節(jié)點(diǎn)；
一第三開關(guān)，耦接于該連接節(jié)點(diǎn)與該參考接地之間，且該第三開關(guān)的控制端耦接該電源節(jié)點(diǎn)；
一第四開關(guān)，耦接于一第二節(jié)點(diǎn)與該參考接地之間，且該第四開關(guān)的控制端耦接于該連接節(jié)點(diǎn)；
一第二阻抗裝置，耦接于該電源節(jié)點(diǎn)與該第二節(jié)點(diǎn)之間；
一第二電容器，耦接于該第二節(jié)點(diǎn)與該參考接地之間；以及
一控制電路，耦接該第二節(jié)點(diǎn)與一電路裝置的重置輸入端之間；
其中，當(dāng)該電源節(jié)點(diǎn)上有電力供給時(shí)，該第一開關(guān)和該第三開關(guān)導(dǎo)通，該第二開關(guān)和該第四開關(guān)不導(dǎo)通，該電源節(jié)點(diǎn)上的電力通過(guò)該第二阻抗裝置充電該第二電容器至一既定電位時(shí)，使該控制電路輸出一重置信號(hào)；
當(dāng)該電力供給自該電源節(jié)點(diǎn)移除時(shí)，該第一開關(guān)和該第三開關(guān)不導(dǎo)通，該第二開關(guān)和該第四開關(guān)導(dǎo)通，通過(guò)該第四開關(guān)使該第二電容器進(jìn)行放電至接近該參考接地的電壓電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電復(fù)位電路，其特征在于，當(dāng)該電源節(jié)點(diǎn)上有電力供給時(shí)，該電力供給對(duì)該第一電容器充電；當(dāng)該電力供給自該電源節(jié)點(diǎn)移除時(shí)，該第一電容器的電壓通過(guò)該第二開關(guān)供給至該第四開關(guān)的控制端，使該第四開關(guān)導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的上電復(fù)位電路，其特征在于，該第一開關(guān)、該第三開關(guān)及該第四開關(guān)均為NMOS晶體管，該第二開關(guān)為PMOS晶體管。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于普誠(chéng)科技股份有限公司，未經(jīng)普誠(chéng)科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210546554.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
