[發(fā)明專利]顯示裝置、陣列基板及其制作方法

有效

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• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103000628A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉翔;王剛;薛建設(shè)
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板、位于基板上的柵電極、柵極絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極層、鈍化層和像素電極層；所述有源層為金屬氧化物半導(dǎo)體，所述柵極絕緣層和有源層之間具有金屬氧化物絕緣層，所述柵極絕緣層貼近所述柵極，所述金屬氧化物絕緣層貼近有源層。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物絕緣層的面積大于等于有源層的面積。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵電極為銅或銅合金。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層為氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一種，或是上述至少兩種薄膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物絕緣層為三氧化二鋁薄膜、五氧化二鉭薄膜或三氧化二釔薄膜。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb或Cd-Sn-O。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層為氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一種，或是上述至少兩種薄膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物絕緣層的厚度為

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。

10.一種制作權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)陣列基板的工藝方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括柵電極的圖案；

步驟2、在完成步驟1的基板上連續(xù)形成包括柵極絕緣層、金屬氧化物絕緣層和金屬氧化物半導(dǎo)體層的薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括金屬氧化物絕緣層的圖案和金屬氧化物半導(dǎo)體層的圖案。

11.如權(quán)利要求10所述的工藝方法，其特征在于，

所述步驟2具體為在完成步驟1的基板上連續(xù)形成包括柵極絕緣層、金屬氧化物絕緣層、金屬氧化物半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋層的薄膜，通過一次半色調(diào)或者灰色調(diào)掩膜版，采用多次刻蝕工藝形成包括部分金屬氧化物絕緣層的圖案、金屬氧化物半導(dǎo)體層圖案、刻蝕阻擋層圖案、源漏電極與金屬氧化物半導(dǎo)體層圖案的接觸區(qū)域圖案。

12.如權(quán)利要求10所述的工藝方法，其特征在于，所述方法還包括：

步驟3、在完成步驟2的基板上形成源漏金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極及數(shù)據(jù)線的圖案；

步驟4、在完成步驟3的基板上形成鈍化層，通過一次構(gòu)圖工藝形成源電極接觸過孔；

步驟5、在完成步驟4的基板上沉積透明導(dǎo)電層，通過一次構(gòu)圖工藝形成透明導(dǎo)電像素電極。

13.如權(quán)利要求11所述的工藝方法，其特征在于，包括：

所述步驟2具體包括:

步驟211：通過PECVD方法連續(xù)沉積柵極絕緣層；

步驟212：在柵極絕緣層上通過濺射或熱蒸發(fā)的方法連續(xù)依次沉積金屬氧化物絕緣層和金屬氧化物半導(dǎo)體層；

步驟213：通過PECVD方法沉積刻蝕阻擋層；

步驟214：通過一次半色調(diào)或者灰色調(diào)掩膜板曝光顯影后，形成不透光區(qū)域，完成透光區(qū)域和部分透光區(qū)域；所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)于半導(dǎo)體保護(hù)部分，部分透光區(qū)域?qū)?yīng)于源漏電極與半導(dǎo)體層接觸部分；通過刻蝕工藝去除掉完全曝光區(qū)域的刻蝕阻擋層和半導(dǎo)體層；

步驟215：進(jìn)行光刻膠的灰化工藝，去除部分透光區(qū)域的光刻膠；

步驟216：進(jìn)行刻蝕工藝，去除掉部分曝光區(qū)域的刻蝕阻擋層，形成源漏電極與半導(dǎo)體層的接觸部分。

14.如權(quán)利要求10所述的工藝方法，其特征在于，所述金屬氧化物絕緣層的面積大于等于金屬氧化物半導(dǎo)體層的面積。

15.如權(quán)利要求10所述的工藝方法，其特征在于，所述金屬氧化物絕緣層為三氧化二鋁薄膜、五氧化二鉭薄膜或三氧化二釔薄膜。

16.如權(quán)利要求10-15任一項(xiàng)所述的工藝方法，其特征在于，包括：

所述金屬氧化物絕緣層的厚度為