[發(fā)明專利]顯示裝置、陣列基板及其制作方法

有效

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• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103000628A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉翔;王剛;薛建設(shè)
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，平板顯示器已取代笨重的CRT顯示器日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示器包括LCD（LiquidCrystal?Display，液晶顯示器）和OLED（Organic?Light-Emitting?Diode，有機發(fā)光二極管）顯示器。尤其是LCD平板顯示器，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位，在各種大中小尺寸的產(chǎn)品上得到了廣泛的應(yīng)用，幾乎涵蓋了當(dāng)今信息社會的主要電子產(chǎn)品，如液晶電視、電腦、手機、車載顯示、投影顯示、攝像機、數(shù)碼相機、電子手表、計算器、電子儀器、儀表、公共顯示和虛幻顯示等多個領(lǐng)域。

在成像過程中，LCD顯示器中每一液晶像素點都由集成在TFT陣列基板中的薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）來驅(qū)動，再配合外圍驅(qū)動電路，實現(xiàn)圖像顯示；有源矩陣驅(qū)動式OLED（Active?MatrixOrganic?Light?Emission?Display，AMOLED）顯示器中由TFT基板中的TFT驅(qū)動OLED面板中對應(yīng)的OLED像素，再配合外圍驅(qū)動電路，實現(xiàn)圖像顯示。在上述顯示器中，TFT是控制發(fā)光的開關(guān)，是實現(xiàn)液晶顯示器和OLED顯示器大尺寸的關(guān)鍵，直接關(guān)系到高性能平板顯示器的發(fā)展方向。

在現(xiàn)有平板顯示器生產(chǎn)技術(shù)中，已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅TFT、單晶硅TFT等，用于制備平板顯示器中陣列基板使用最多的是非晶硅TFT。目前，隨著技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了金屬氧化物TFT，金屬氧化物TFT具有載流子遷移率高的優(yōu)點，使得TFT可以做的很小，而使平板顯示器的分辨率越高，顯示效果越好；同時用金屬氧化物TFT還具有特性不均現(xiàn)象少、材料和工藝成本降低、工藝溫度低、可利用涂布工藝、透明率高、帶隙大等優(yōu)點，備受業(yè)界關(guān)注。

但現(xiàn)有的金屬氧化物TFT中，使用低電阻Cu配線處于高溫時，Cu離子會穿越柵極絕緣層，擴散到半導(dǎo)體層中，使得薄膜晶體管性能惡化；另外，當(dāng)采用氮化物作為柵極絕緣層時，氮化物中的部分H離子會擴散到半導(dǎo)體層中，使得氧化物半導(dǎo)體層的性能急劇惡化，嚴(yán)重影響到TFT產(chǎn)品性能。

另外，目前制作金屬氧化物TFT一般采用六次光刻工藝，主要是因為在刻蝕源漏金屬電極時會腐蝕掉金屬氧化物半導(dǎo)體層，因此，一般在金屬氧化物半導(dǎo)體層上面增加一次刻蝕阻擋層，以便保護金屬氧化物半導(dǎo)體層在刻蝕源漏金屬電極的過程中不被源漏金屬的刻蝕液腐蝕。一般來說，在制作金屬氧化物TFT過程中所用掩模板的數(shù)量越少，生產(chǎn)效率越高，成本就越低。

發(fā)明內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法，以克服現(xiàn)有的陣列基板制作工藝復(fù)雜，且柵極絕緣層摻雜的氫基團以及低電阻Cu容易破壞器件的穩(wěn)定性，導(dǎo)致影響產(chǎn)品良率的缺陷。

（二）技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一方面提供一種陣列基板，包括：

基板、位于基板上的柵電極、柵極絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極層、鈍化層和像素電極層；所述有源層為氧化物半導(dǎo)體，所述柵極絕緣層和有源層之間具有金屬氧化物絕緣層，所述柵極絕緣層貼近所述柵極，所述金屬氧化物絕緣層貼近有源層。

進一步地，所述金屬氧化物絕緣層的面積大于等于有源層的面積。

進一步地，所述柵極為銅或銅合金。

進一步地，所述柵極絕緣層為氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一種，或是上述至少兩種薄膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)。

進一步地，所述金屬氧化物絕緣層為三氧化二鋁薄膜、五氧化二鉭薄膜或三氧化二釔薄膜。

進一步地，所述有源層為IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb或Cd-Sn-O。

進一步地，所述刻蝕阻擋層為氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一種，或是上述至少兩種薄膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)。

進一步地，所述金屬氧化物絕緣層的厚度為

另一方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

再一方面，本發(fā)明還提供一種制作陣列基板的工藝方法，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括柵電極的圖案；