[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法有效

申請號：	201210546167.9	申請日：	2012-12-14
公開（公告）號：	CN103872040A	公開（公告）日：	2014-06-18
發明（設計）人：	耿軍;侯智;吳代吾;楊子衡;謝少華;李茜茜;喻玥	申請（專利權）人：	京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
代理公司：	北京派特恩知識產權代理有限公司 11270	代理人：	武晨燕;張穎玲
地址：	100015 ***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	薄膜晶體管陣列及其制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管（TFT）的制作技術，具體涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。

背景技術

圖1為現有技術中常用的薄膜晶體管陣列基板，由底柵型TFT器件集成，主要包括：基板10、柵電極（Gate）11、柵絕緣層（G-SiN_X）12、有源層（a-Si）13、歐姆接觸層（N+a-Si）14、源漏電極層（S/D）15、鈍化絕緣層（P-SiN_X）16及像素電極17，其中，柵電極11形成于基板10上方，柵絕緣層12，覆蓋于基板10和柵電極11上方；有源層13，形成于柵絕緣層12對應柵電極11的上方；歐姆接觸層14，其導電性較好，形成于有源層13上方，以減小源漏電極15和有源層13之間的電阻；源漏電極層15，包括源極15a和漏極15b，形成于歐姆接觸層14上方；鈍化絕緣層16，覆蓋于源漏電極層15、有源層13及基板10上方；像素電極17，形成于鈍化絕緣層16上方；其中鈍化絕緣層上16形成有過孔18，像素電極17與漏極15b通過鈍化絕緣層16上的過孔18連通。

對于上述TFT陣列基板，現在國際上使用較多的一般為5次掩膜（mask）工藝，主要制作步驟如下：a、采用柵電極掩膜（Gate?Mask），形成柵電極圖形；b、采用有源層掩膜（Active?Mask），對有源層和歐姆接觸層進行刻蝕，形成有源層圖形；c、采用源漏電極掩膜（SD?Mask），經刻蝕，形成源漏電極層圖形；d、采用鈍化絕緣層掩膜（PVX?Mask），經刻蝕，形成包含過孔的鈍化絕緣層圖形；e、通過像素電極掩膜形成像素電極圖形。其中上述5次掩膜工藝所使用的曝光工藝為常規的曝光工藝，即在沉積的薄膜上涂布一層光刻膠，通過光線照射配合使用掩膜，使需要進行刻蝕的區域上方的光刻膠完全曝光，再利用顯影工藝形成需要的圖形。

上述工藝雖然相對成熟，但是仍然存在生產工藝較復雜、生產成本較高、生產周期較長的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，簡化生產工藝，降低生產成本，縮短生產周期。

為了達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

一種薄膜晶體管陣列基板，包括：基板、柵金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層及透明電極層；其中，

所述透明電極層，包括像素電極，形成于所述基板上方；

柵金屬層，包括柵電極及柵線，其中柵電極和一部分柵線形成在所述基板上方；

柵絕緣層，覆蓋于所述基板、所述像素電極、所述柵電極和所述柵線上方；

有源層，形成于所述柵絕緣層的上方且與所述柵電極相對；

源漏電極層，包括源極、漏極和數據線、以及另一部分柵線，形成于所述有源層及所述柵絕緣層的上方；

其中所述柵絕緣層上形成有連通孔及過孔，兩部分柵線之間通過所述連通孔連通，所述漏極與所述像素電極通過所述過孔連通。

進一步地，所述透明電極層還包括輔助電極，該輔助電極位于所述柵金屬層與所述基板之間。