[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210546167.9
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103872040A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 耿軍;侯智;吳代吾;楊子衡;謝少華;李茜茜;喻玥
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括：基板、柵金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層及透明電極層；其中，

所述透明電極層，包括像素電極，形成于所述基板上方；

柵金屬層，包括柵電極及柵線，其中柵電極和一部分柵線形成在所述基板上方；

柵絕緣層，覆蓋于所述基板、所述像素電極、所述柵電極和所述柵線上方；

有源層，形成于所述柵絕緣層的上方且與所述柵電極相對；

源漏電極層，包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線、以及另一部分柵線，形成于所述有源層及所述柵絕緣層的上方；

其中所述柵絕緣層上形成有連通孔及過孔，兩部分柵線之間通過所述連通孔連通，所述漏極與所述像素電極通過所述過孔連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述透明電極層還包括輔助電極，該輔助電極位于所述柵金屬層與所述基板之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述兩部分柵線采用相同或不同的金屬材料制作。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層和所述源極、漏極之間還形成有歐姆接觸層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括公共電極線，其中一部分公共電極線形成于所述基板上方，另一部分公共電極線形成于所述柵絕緣層上方，所述柵絕緣層上形成有導(dǎo)通孔，兩部分公共電極線之間通過所述導(dǎo)通孔連通。

6.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟a、在基板上依次沉積透明電極層薄膜及柵金屬層薄膜，采用第一掩膜，形成包含像素電極、輔助電極、柵電極和一部分柵線的第一層圖形，所述像素電極和所述輔助電極形成于所述基板上方，所述柵電極和一部分柵線形成于所述輔助電極上方；

步驟b、在完成步驟a處理后的基板上依次沉積柵絕緣層薄膜和半導(dǎo)體薄膜，采用第二掩膜，形成包含柵絕緣層、有源層的第二層圖形，其中，所述柵絕緣層覆蓋于所述基板、所述像素電極、所述輔助電極、所述柵電極和所述一部分柵線上方；所述柵絕緣層上形成有連通孔及過孔，所述有源層形成于與所述柵電極對應(yīng)的柵絕緣層的上方；

步驟c、在完成步驟b處理后的基板上沉積源漏金屬層薄膜，采用第三掩膜，形成包含源漏電極層及另一部分柵線的第三層圖形；其中，所述源漏電極層形成于所述有源層及所述柵絕緣層的上方，所述另一部分柵線形成于所述柵絕緣層上方，兩部分柵線之間通過所述連通孔連通，所述漏極與所述像素電極通過所述過孔連通。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步驟b還包括：在所述半導(dǎo)體薄膜上方還沉積一層摻雜半導(dǎo)體薄膜；

所述采用第二掩膜形成包含柵絕緣層、有源層的第二層圖形的步驟為：采用第二掩膜對層疊的柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行曝光刻蝕，形成包含柵絕緣層、有源層和歐姆接觸層的第二層圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜和第二掩膜為半色調(diào)掩膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述兩部分柵電極采用相同或不同的金屬材料制作。

10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟a中，采用第一掩膜，同時形成一部分公共電極線；在所述步驟b中，采用第二掩膜，在柵絕緣層上同時形成導(dǎo)通孔；在所述步驟c中，采用第三掩膜，同時形成另一部分公共電極線，兩部分公共電極線之間通過所述導(dǎo)通孔連通。