[發(fā)明專利]一種內(nèi)嵌式觸摸屏彩膜基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210545726.4
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103293750A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙麗軍;馬駿
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1339;G02F1/1333;G06F3/041
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板，包括：

一基板，所述基板包括多個(gè)顯示區(qū)域以及包圍所述顯示區(qū)域的多個(gè)非顯示區(qū)域；

依次形成于所述基板上的第一金屬層、第一有機(jī)膜層、第二金屬層以及第二有機(jī)膜層，所述第二金屬層包括設(shè)置于非顯示區(qū)域內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電墊；

其特征在于，在所述非顯示區(qū)域內(nèi)的第一有機(jī)膜層上形成有多個(gè)通孔或者通槽，所述導(dǎo)電墊通過所述通孔或通槽與所述第一金屬層電連接，并且所述導(dǎo)電墊暴露于所述第二有機(jī)膜層之外。

2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板，其特征在于，所述非顯示區(qū)域內(nèi)的第二金屬層全部暴露于第二有機(jī)膜層之外。

3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板，其特征在于，每個(gè)所述非顯示區(qū)域內(nèi)的所述多個(gè)導(dǎo)電墊均位于所述非顯示區(qū)域的同一側(cè)并排成直線。

4.如權(quán)利要求3所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板，其特征在于，所述基板包括至少一行和至少一列的顯示區(qū)域，每個(gè)非顯示區(qū)域均包圍一所述顯示區(qū)域。

5.如權(quán)利要求4所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板，其特征在于，所述每一行或列內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電墊均位于所述該行或列的非顯示區(qū)域的同一側(cè)并排成直線。

6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板，其特征在于，所述第一有機(jī)膜層及第二有機(jī)膜層的厚度范圍為1.5μm~2.5μm。

7.一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板、陣列基板以及設(shè)置于所述內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板和陣列基板之間的液晶層。

8.一種如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板的制造方法，包括：

提供一基板，所述基板包括至少一個(gè)顯示區(qū)域以及包圍所述顯示區(qū)域的至少一個(gè)非顯示區(qū)域；

在所述基板上形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成第一有機(jī)膜層；

刻蝕去除部分第一有機(jī)膜層，形成至少一個(gè)通孔或通槽；

在所述第一有機(jī)膜層上形成第二金屬層，所述第二金屬層包括設(shè)置于每個(gè)非顯示區(qū)域內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電墊，所述導(dǎo)電墊通過所述通孔或通槽與所述第一金屬層電連接；

在所述第二金屬層上形成第二有機(jī)膜層；

刻蝕去除部分第二有機(jī)膜層，暴露出所述導(dǎo)電墊。

9.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板的制造方法，其特征在于，在刻蝕去除部分第二有機(jī)膜層之后，暴露出每個(gè)非顯示區(qū)域。

10.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板的制造方法，其特征在于，每個(gè)所述非顯示區(qū)域內(nèi)的所述多個(gè)導(dǎo)電墊位于所述非顯示區(qū)域的同一側(cè)并排成直線。

11.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板，其特征在于，所述基板包括至少一行和至少一列的顯示區(qū)域，在每個(gè)非顯示區(qū)域均包圍一所述顯示區(qū)域。

12.如權(quán)利要求11所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板，其特征在于，所述每一行或列內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電墊均位于所述該行或列的非顯示區(qū)域的同一側(cè)并排成直線。

13.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)嵌式觸摸彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述第一有機(jī)膜層及第二有機(jī)膜層的厚度范圍為1.5μm~2.5μm。