[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210543925.1
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103165478A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 清水祐作;秋月伸也;小田高司;豐田英志;松村健
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王玉玲

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其是具備半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該制造方法具備以下工序：

工序A，準備半導(dǎo)體芯片；

工序B，準備具有熱固化型樹脂層的樹脂片；

工序C，在所述熱固化型樹脂層上配置多個半導(dǎo)體芯片；以及

工序D，在所述多個半導(dǎo)體芯片上配置保護膜，并通過隔著配置的所述保護膜而施加的壓力，將所述多個半導(dǎo)體芯片埋入所述熱固化型樹脂層，

其中，所述保護膜對水的接觸角為90°以下。

2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其是具有半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該制造方法具備以下工序：

工序A，準備半導(dǎo)體芯片；

工序B，準備具有熱固化型樹脂層的樹脂片；以及

工序D，將所述多個半導(dǎo)體芯片埋入所述熱固化型樹脂層。