[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210543925.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103165478A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 清水祐作;秋月伸也;小田高司;豐田英志;松村健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 王玉玲 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。?
背景技術(shù)
近年來(lái),半導(dǎo)體裝置的小型化、布線的微細(xì)化處于不斷開展的趨勢(shì)中,在狹小的半導(dǎo)體芯片區(qū)域(在通過(guò)俯視來(lái)透視半導(dǎo)體芯片的情況下,為與半導(dǎo)體芯片重合的區(qū)域)中不得不配置更多的I/O焊盤、通孔,同時(shí)引腳密度(pin?density)也在上升。進(jìn)而,在BGA(Ball?Grid?Array)封裝中,在半導(dǎo)體芯片區(qū)域內(nèi)形成有多個(gè)端子,用于形成其他元件的區(qū)域受限,因此采用在半導(dǎo)體封裝基板上將布線從端子引出至半導(dǎo)體芯片區(qū)域外側(cè)的方法。?
在此種狀況下,在個(gè)別應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體裝置的小型化、布線的微細(xì)化的做法中,由生產(chǎn)線的增設(shè)、制造步驟的繁雜化等而導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低,并且無(wú)法應(yīng)對(duì)低成本化的要求。?
針對(duì)于此,為了使半導(dǎo)體封裝體的制作低成本化,還提出了在支撐體上配置單片化的多個(gè)芯片并將其一并用樹脂密封而形成封裝體的方法。例如,專利文獻(xiàn)1中采用以下方法:在形成于支撐體上的熱敏性膠粘劑上排列單片化的多個(gè)芯片,以覆蓋芯片和熱敏性膠粘劑的方式形成塑料制的通用載體(carrier)后,通過(guò)加熱來(lái)剝離埋有芯片的通用載體和熱敏性膠粘劑。?
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)?
專利文獻(xiàn)?
專利文獻(xiàn)1:美國(guó)專利第7202107號(hào)?
發(fā)明內(nèi)容
但是,在專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體裝置的制造方法中,如上所述需要最終將熱敏性膠粘劑和通用載體剝離,因此在通用載體上殘留熱敏性膠粘劑的殘?jiān)蛘邿崦粜阅z粘劑的排氣成分以雜質(zhì)的形成殘留在通用載體上而在其清洗上需要耗費(fèi)時(shí)間等等,從而生產(chǎn)效率可能會(huì)降低。此外,專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體裝置的制造方法中,在暫時(shí)固定芯片時(shí)使用熱敏性膠粘劑之后,最終將其剝離,若能夠省略這些工序,則能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)率,在這一點(diǎn)上尚有改善的余地。?
因此,本發(fā)明的目的在于,提供半導(dǎo)體芯片的污染少且生產(chǎn)效率高的半導(dǎo)體裝置的制造方法。?
本申請(qǐng)發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過(guò)采用下述方案從而可以解決上述課題,由此完成了本發(fā)明。?
即,本發(fā)明的特征在于,其是具備半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)體裝置的制造方法,該制造方法具備以下工序:?
工序A,準(zhǔn)備半導(dǎo)體芯片;?
工序B,準(zhǔn)備具有熱固化型樹脂層的樹脂片;?
工序C,在上述熱固化型樹脂層上配置多個(gè)半導(dǎo)體芯片;以及?
工序D,在上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片上配置保護(hù)膜,并通過(guò)隔著配置的上述保護(hù)膜而施加的壓力,將上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片埋入上述熱固化型樹脂層,?
其中,上述保護(hù)膜相對(duì)于水的接觸角為90°以下。?
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法,在熱固化型樹脂層上配置多個(gè)半導(dǎo)體芯片之后(工序C),將多個(gè)半導(dǎo)體芯片埋入上述熱固化型樹脂層(工序D)。因此,可以將上述熱固化型樹脂層作為密封半導(dǎo)體芯片的密封材。此外,由于將半導(dǎo)體芯片配置于熱固化型樹脂層上后埋入上述熱固化型樹脂層,因此無(wú)需用于暫時(shí)固定半導(dǎo)體芯片的片材。此外,無(wú)需將用于暫時(shí)固定半導(dǎo)體芯片的片材剝離的工序。其結(jié)果可以實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化、制造成本的削減。此外,由于將半導(dǎo)體芯片埋入熱固化型樹脂層,因此無(wú)需在半導(dǎo)體芯片粘貼和剝離暫時(shí)固定用的片材。其結(jié)果可以抑制半導(dǎo)體芯片的污染。?
此外,上述埋入工序D,是通過(guò)隔著在上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片上配置的保護(hù)膜而施加的壓力,將上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片埋入上述熱固化型樹脂層的?工序,上述保護(hù)膜相對(duì)于水的接觸角為90°以下。一般而言,越是疎水性的物質(zhì),表面能越小,越形成低摩擦;越是親水性的物質(zhì),表面能越大,越形成高摩擦。根據(jù)上述構(gòu)成,上述保護(hù)膜相對(duì)于水的接觸角為90°以下,親水性高,因此保護(hù)膜與半導(dǎo)體芯片之間的摩擦力變大,在埋入工序D中能夠降低兩者的差異。其結(jié)果可以抑制埋入時(shí)的半導(dǎo)體芯片的錯(cuò)位。另外,本發(fā)明中規(guī)定了保護(hù)膜對(duì)水的接觸角作為保護(hù)膜表面的滑動(dòng)性指標(biāo)。?
此外,本發(fā)明的特征在于,其是具備半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的制造方法,該制造方法具備以下工序:?
工序A,準(zhǔn)備半導(dǎo)體芯片;?
工序B,準(zhǔn)備具有熱固化型樹脂層的樹脂片;?
工序D,將上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片埋入上述熱固化型樹脂層。?
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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