[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)存儲器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210543865.3
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103165608A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設計）人: 宋正宇;李宰圭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L21/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

本申請要求享有2011年12月14日提交的韓國專利申請No.10-2011-0134422的優(yōu)先權，其全部內(nèi)容通過引用結合于此。

技術領域

本公開涉及半導體器件及其制造方法，更具體地，涉及數(shù)據(jù)存儲器件及其制造方法。

背景技術

由于小尺寸、多功能和/或低制造成本，半導體器件在電子產(chǎn)業(yè)中極有吸引力。半導體器件中的數(shù)據(jù)存儲器件可以存儲邏輯數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)存儲器件隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而更高度地集成。因而，構成數(shù)據(jù)存儲器件的各組件的線寬減小。

另外，需要數(shù)據(jù)存儲器件的高可靠性以及高集成度。然而，高集成度可能降低數(shù)據(jù)存儲器件的可靠性。因而，已經(jīng)進行了各種研究來提高數(shù)據(jù)存儲器件的可靠性以及集成度。

發(fā)明內(nèi)容

在此公開的實施方式針對數(shù)據(jù)存儲器件及其制造方法。

在一個方面中，一種數(shù)據(jù)存儲器件可以包括：多個單元選擇部，形成在基板中；板導電圖案，覆蓋單元選擇部，板導電圖案電連接到單元選擇部的第一端子；多個貫通柱，穿透板導電圖案，該多個貫通柱與板導電圖案絕緣；以及多個數(shù)據(jù)存儲部，分別直接連接到多個貫通柱。數(shù)據(jù)存儲部可以分別電連接到單元選擇部的第二端子。

在一些實施方式中，每個貫通柱可以與連接到貫通柱的數(shù)據(jù)存儲部重疊。

在其它實施方式中，每個數(shù)據(jù)存儲部可以直接連接到相應的貫通柱的頂表面。每個數(shù)據(jù)存儲部可以通過相應的貫通柱電連接到單元選擇部的第二端子。數(shù)據(jù)存儲部可以設置在板導電圖案上方。

在另一實施方式中，數(shù)據(jù)存儲器件還可以包括：設置在數(shù)據(jù)存儲部上的位線。在平面圖中，數(shù)據(jù)存儲部可以沿行和列布置，以及每條位線可以電連接到組成所述行的每一個的數(shù)據(jù)存儲部。

在另一實施方式中，每個數(shù)據(jù)存儲部可以設置在相應的貫通柱下面，使得每個數(shù)據(jù)存儲部可以直接連接到相應的貫通柱的底表面。在該情形下，板導電圖案可以覆蓋數(shù)據(jù)存儲部。

在另一實施方式中，數(shù)據(jù)存儲器件還可以包括：設置在貫通柱上的位線。在平面圖中，貫通柱可以沿行和列布置，以及每條位線連接到組成所述行的每一個的貫通柱的頂表面。

在另一實施方式中，板導電圖案可以具有多個板孔，多個貫通柱可以分別穿過多個板孔，板孔可以彼此間隔開。

在另一實施方式中，每個單元選擇部可以是場效應晶體管。每個單元選擇部的第一源/漏區(qū)和第二源/漏區(qū)可以分別與第一端子和第二端子相應。每個單元選擇部的柵電極可以設置在形成在基板中的凹陷區(qū)中。

在另一方面中，一種數(shù)據(jù)存儲器件可以包括：多個單元選擇部，至少部分地形成在基板中；第一層間電介質(zhì)層、板導電圖案和第二層間電介質(zhì)層，順序地層疊在單元選擇部上，板導電圖案覆蓋單元選擇部，板導電圖案電連接到單元選擇部的第一端子；多個貫通柱，依次穿透第二層間電介質(zhì)層、板導電圖案和第一層間電介質(zhì)層，該多個貫通柱分別電連接到單元選擇部的第二端子，該多個貫通柱與板導電圖案絕緣；以及多個數(shù)據(jù)存儲部，設置在第二層間電介質(zhì)層上，該多個數(shù)據(jù)存儲部分別連接到貫通柱的頂表面。

在一些實施方式中，多個貫通柱可以分別設置在依次穿透第二層間電介質(zhì)層、板導電圖案和第一層間電介質(zhì)層的多個通孔中。每個貫通柱可以通過設置在每個通孔的內(nèi)部側壁與每個貫通柱之間的絕緣間隔物而與板導電圖案絕緣。

在其它實施方式中，每個貫通柱可以通過設置在每個貫通柱與板導電圖案之間的絕緣體而與板導電圖案絕緣。絕緣體可以包括通過對經(jīng)每個通孔的內(nèi)部側壁暴露的板導電圖案執(zhí)行處理工藝而形成的材料。

在其它實施方式中，單元選擇部可以包括：多個單元有源部分，定義在基板中且沿行和列布置；成對的單元柵電極，分別設置在交叉組成所述列的每一個的單元有源部分的成對的單元凹陷區(qū)中；單元柵電介質(zhì)層，設置在每個單元柵電極與基板之間；第一源/漏區(qū)，形成在所述成對的單元柵電極之間的每個單元有源部分中，第一源/漏區(qū)與第一端子相應；以及成對的第二源/漏區(qū)，分別形成在每個單元有源部分的兩個邊緣區(qū)域中。第二源/漏區(qū)可以與第二端子相應，所述成對的單元柵電極可以設置在所述成對的第二源/漏區(qū)之間。

在另一實施方式中，形成在每個單元有源部分中的所述成對的單元柵電極、第一源/漏區(qū)和所述成對的第二源/漏區(qū)可以構成成對的單元選擇部。所述成對的單元選擇部可以共用形成在每個單元有源部分中的第一源/漏區(qū)。