[發明專利]數據存儲器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201210543865.3 | 申請日: | 2012-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN103165608A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 宋正宇;李宰圭 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/10 | 分類號: | H01L27/10;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數據 存儲 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種數據存儲器件,包括:
多個單元選擇部,形成在基板中;
板導電圖案,覆蓋所述單元選擇部,所述板導電圖案電連接到所述單元選擇部的第一端子;
多個貫通柱,穿透所述板導電圖案,所述多個貫通柱與所述板導電圖案絕緣;以及
多個數據存儲部,分別直接連接到所述多個貫通柱,
其中所述數據存儲部分別電連接到所述單元選擇部的第二端子。
2.根據權利要求1所述的數據存儲器件,其中在平面圖中,每個所述貫通柱與連接到所述貫通柱的所述數據存儲部重疊。
3.根據權利要求1所述的數據存儲器件,其中每個所述數據存儲部直接連接到相應的貫通柱的頂表面;
其中每個所述數據存儲部通過相應的貫通柱電連接到單元選擇部的第二端子;以及
其中所述數據存儲部設置在所述板導電圖案上方。
4.根據權利要求3所述的數據存儲器件,還包括:
設置在所述數據存儲部上的位線,
其中在平面圖中,所述數據存儲部沿行和列布置,以及
其中每條所述位線電連接到構成每個所述行的所述數據存儲部。
5.根據權利要求1所述的數據存儲器件,其中每個所述數據存儲部設置在相應的貫通柱下面,使得每個所述數據存儲部直接連接到相應的貫通柱的底表面;以及
其中所述板導電圖案覆蓋所述數據存儲部。
6.根據權利要求5所述的數據存儲器件,還包括:
設置在所述貫通柱上的位線,
其中在平面圖中,所述貫通柱沿行和列布置,以及
其中每條所述位線連接到構成每個所述行的所述貫通柱的頂表面。
7.根據權利要求1所述的數據存儲器件,其中所述板導電圖案具有多個板孔;
其中所述多個貫通柱分別穿過所述多個板孔;以及
其中所述板孔彼此間隔開。
8.根據權利要求1所述的數據存儲器件,其中每個所述單元選擇部是場效應晶體管;
其中每個所述單元選擇部的第一源/漏區和第二源/漏區分別與所述第一端子和所述第二端子相應;以及
其中每個所述單元選擇部的柵電極設置在形成于所述基板中的凹陷區中。
9.一種數據存儲器件,包括:
多個單元選擇部,至少部分地形成在基板中;
第一層間電介質層、板導電圖案和第二層間電介質層,順序地層疊在所述單元選擇部上,所述板導電圖案覆蓋所述單元選擇部,所述板導電圖案電連接到所述單元選擇部的第一端子;
多個貫通柱,依次穿透所述第二層間電介質層、所述板導電圖案和所述第一層間電介質層,所述多個貫通柱分別電連接到所述單元選擇部的第二端子,所述多個貫通柱與所述板導電圖案絕緣;以及
多個數據存儲部,設置在所述第二層間電介質層上,所述多個數據存儲部分別連接到所述貫通柱的頂表面。
10.根據權利要求9所述的數據存儲器件,還包括:
位線,設置在所述數據存儲部上,
其中在平面圖中,所述數據存儲部沿行和列布置,以及
其中每條所述位線電連接到構成每個所述行的所述數據存儲部的頂表面。
11.根據權利要求9所述的數據存儲器件,其中所述多個貫通柱分別設置在依次穿透所述第二層間電介質層、所述板導電圖案和所述第一層間電介質層的多個通孔中,以及
其中每個所述貫通柱通過設置在每個所述通孔的內部側壁與每個所述貫通柱之間的絕緣間隔物而與所述板導電圖案絕緣。
12.根據權利要求9所述的數據存儲器件,其中所述多個貫通柱分別設置在依次穿透所述第二層間電介質層、所述板導電圖案和所述第一層間電介質層的多個通孔中,
其中每個所述貫通柱通過設置在每個所述貫通柱與所述板導電圖案之間的絕緣體而與所述板導電圖案絕緣;以及
其中所述絕緣體包括通過對經每個所述通孔的內部側壁暴露的所述板導電圖案執行處理工藝而形成的材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電子株式會社,未經三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210543865.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:域名系統地址配置方法及設備
- 下一篇:片式電阻器及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 數據顯示系統、數據中繼設備、數據中繼方法、數據系統、接收設備和數據讀取方法
- 數據記錄方法、數據記錄裝置、數據記錄媒體、數據重播方法和數據重播裝置
- 數據發送方法、數據發送系統、數據發送裝置以及數據結構
- 數據顯示系統、數據中繼設備、數據中繼方法及數據系統
- 數據嵌入裝置、數據嵌入方法、數據提取裝置及數據提取方法
- 數據管理裝置、數據編輯裝置、數據閱覽裝置、數據管理方法、數據編輯方法以及數據閱覽方法
- 數據發送和數據接收設備、數據發送和數據接收方法
- 數據發送裝置、數據接收裝置、數據收發系統、數據發送方法、數據接收方法和數據收發方法
- 數據發送方法、數據再現方法、數據發送裝置及數據再現裝置
- 數據發送方法、數據再現方法、數據發送裝置及數據再現裝置





