[發明專利]一種采用加寬模具假型腔優化二次塑封封裝件的制作工藝

有效

• 申請號: 201210542558.3
• 申請日: 2012-12-15
• 公開（公告）號: CN103094132B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 李濤濤;諶世廣;王虎;馬曉波;鐘環清
• 申請（專利權）人: 華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，具體是一種采用加寬模具假型腔優化二次塑封封裝件的制作工藝。

背景技術

隨著技術的不斷發展，電子封裝不但要提供芯片的保護，同時還要在一定的成本下滿足不斷增加的性能、可靠性、散熱、功率分配等要求，這對封裝技術提出了新的要求與挑戰。激烈的市場競爭推動著封裝技術的不斷進步，而塑封作為半導體封裝技術的關鍵環節之一，也由一次塑封發展到二次塑封，塑封工序的好壞直接影響著產品的可靠性與成本、性能等問題。

當前的二次塑封采用的主要是普通的模具合模型式，而二次塑封主要服務對象均有塑封體較薄的特點，應用普通的模具設計很難解決當前存在的以下問題：(1)塑封料的選擇范圍小，成本高。假型腔較窄的模具必須采用塑封料顆粒更小、流動性更佳的塑封料，從而增加塑封成本；（2）假型腔較窄會引起產品的可靠性問題。所有產品塑封完成之后均要有去除殘膠步驟，而二次塑封由于塑封體本身厚度較薄，在去除殘膠過程中主要受力點依靠假型腔，假型腔面積較小，去殘膠時的受力面積則較小，因此，去殘膠過程中塑封體與假型腔連接部位受力較大，去除殘膠過程容易影響塑封體，出現分層、錫球脫落等問題；（3）假型腔較窄會影響塑封料的流動，出現塑封包封不滿等問題。

發明內容

本發明的目的在于克服上述不足，提供一種采用加寬模具假型腔優化二次塑封封裝件的制作工藝，其模具型式的假型腔加寬、進料口高度增加，解決了二次塑封中塑封料成本高與選擇范圍小、產品可靠性與包封不滿問題。

本發明的技術方案是：該制作工藝按照以下步驟進行：框架半蝕刻、上芯、壓焊、一次塑封、二次蝕刻、植球、貼膜、二次塑封、揭膜、切割分離。 所述二次塑封中，對模具的假型腔寬度和進料口高度增加。

模具假型腔加寬設計對二次塑封的優化的有益效果是：(1)假型腔加寬使二次塑3封塑封料的選取范圍更廣、并降低成本。由于二次塑封大部分塑封體厚度均比較薄，要求選用顆粒度更小、流動性更佳的塑封料，而加寬假型腔寬度，也增加了塑封料進料口高度，相比普通的模具，改善之后的進料口可適應更廣泛的塑封料；(2)假型腔加寬可有效改善產品二次塑封可靠性，所有產品塑封完成之后均要有去除殘膠步驟，而二次塑封由于塑封體本身厚度較薄，而假型腔厚度相比塑封體本身厚度更大，因此，在去除殘膠過程中主要受力點是假型腔，而加寬假型腔寬度，有效地加大了其去殘膠時的受力面積，從而使塑封體本身的受力能有效降低，單位面積受力更小；相反，如果受力大，則對較薄部分造成毀滅性影響，如分層，錫球脫落，塑封體受損等。所以假型腔加寬能有效降低二次塑封去除殘膠過程對產品可靠性的影響； (3)加寬假型腔可防止二次塑封過程中的包封不滿問題，假型腔加寬后，進料口高度相應變高，有利于塑封料的流動。

說明書附圖

圖1為半腐蝕框架剖面圖；

圖2為上芯剖面圖；

圖3為壓焊剖面圖；

圖4為一次塑封剖面圖；

圖5為二次蝕刻剖面圖；

圖6為植球剖面圖；

圖7為貼膜剖面圖；

圖8為二次塑封剖面圖；

圖9為揭膜剖面圖；

圖10為切割分離剖面圖；

圖11為普通模具型式剖面圖；

圖12為優化模具型式剖面圖；圖13為普通模具合模型式剖面圖；

圖14為優化模具合模型式剖面圖；

圖15為去殘膠過程剖面圖；

圖16為殘膠去除后產品剖面圖。

圖中，1為普通模具假型腔寬度、2為上模、3為下模、4為優化模具假型腔寬度、5為普通模具進料口高度、6為優化模具進料口高度、7為壓板、 8為引線框架、9為粘片膠、10為芯片、11為焊點、12為鍵合線、13為一次塑封體、14為二次蝕刻后框架、15為錫球、16為膠膜、17為二次塑封體。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明做進一步詳細敘述。

一種采用加寬模具假型腔優化二次塑封封裝件的制作工藝，其按照以下步驟進行：

第一步、引線框架半蝕刻：通過成熟的涂膠、曝光、顯影、電鍍及腐蝕等工藝，蝕刻引線框架8，在框架上蝕刻出載體，I/O焊盤引腳，確定I/O 焊盤引腳大小、腳間距和它們各自的位置；如圖1所示；

第二步、上芯：用粘片膠9將芯片10粘接到引線框架8的載體上；如圖2所示；

第三步、壓焊：將芯片上的焊點11與引線框架8的引腳用鍵合線12連接；如圖3所示；