[發明專利]一種采用加寬模具假型腔優化二次塑封封裝件的制作工藝有效
| 申請號： | 201210542558.3 | 申請日： | 2012-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN103094132B | 公開（公告）日： | 2017-12-26 |
| 發明（設計）人： | 李濤濤;諶世廣;王虎;馬曉波;鐘環清 | 申請（專利權）人： | 華天科技（西安）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710018 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 加寬 模具 假型腔 優化 二次 塑封 封裝 制作 工藝 | ||
1.一種采用加寬模具假型腔優化二次塑封封裝件的制作工藝，其特征在于：其按照以下步驟進行：
第一步、引線框架(8)半蝕刻：通過成熟的涂膠、曝光、顯影、電鍍及腐蝕等工藝，蝕刻引線框架(8)，在框架上蝕刻出載體，I/O焊盤引腳，確定I/O焊盤引腳大小、腳間距和它們各自的位置；
第二步、上芯：用粘片膠(9)將芯片(10)粘接到引線框架(8)的載體上；
第三步、壓焊：將芯片(10)上的焊點(11)與引線框架(8)的引腳用鍵合線(12)連接；
第四步、一次塑封：將壓焊后的產品自動傳送到塑封模具中，用一次塑封體(13)對壓焊后的產品進行包封；
第五步、二次蝕刻：對引線框架(8)底部進行蝕刻，蝕刻后框架為二次蝕刻后框架(14)；
第六步、植球：對二次蝕刻后框架(14)的引腳植錫球(15)；
第七步、貼膜：對錫球(15)貼一層膠膜(16)；
第八步、二次塑封：將貼膜后的產品自動傳送到塑封優化模具中，優化模具相比普通模具的假型腔寬度增加，進料口高度也增加；用二次塑封體(17)對貼膜后的產品進行包封；在去除殘膠時，壓板(7)壓在二次塑封體(17)上，對壓板(7)右邊施加壓力去除殘膠；
第九步、揭膜：將錫球(15)上的膠膜(16)揭膜；
第十步、切割分離：對塑封好的產品切割分離。
2.根據權利要求1所述的一種采用加寬模具假型腔優化二次塑封封裝件的制作工藝，其特征在于：所述第八步的優化模具假型腔寬度(4)為2.1mm，優化模具進料口高度(6)為0.3257mm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
