[發明專利]波長為808nm的大功率激光器芯片結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201210541694.0
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103022892A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 羅飚;王任凡
• 申請（專利權）人: 武漢電信器件有限公司
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02;H01S5/343
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張瑾

技術領域

本發明涉及半導體激光器技術領域，特別涉及一種波長為808nm?的大功率激光器芯片結構及其制作方法。?

背景技術

隨著大功率半導體激光器輸出功率、?電光轉換效率、可靠性和性能穩定性的不斷提高。大功率半導體激光器在激光通信、?光存儲、?光陀螺、?激光以及雷達等方面的應用更加廣泛，?市場需求巨大，?發展前景更加廣闊。?

現有的結構在制作芯片腐蝕工藝中，需要精確控制時間及深度，大規模化生產有些影響。?

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種波長為808nm的大功率激光器芯片結構及其制作方法。?

為達成上述目的，本發明提供一種波長為808nm的大功率激光器芯片結構，包括：?

一襯底0，其為100取向的摻Si的N型GaAs層，其中Si摻雜濃度>1×10¹⁸cm^-3；

一緩沖層1，其為摻Si的N型GaAs層并形成于襯底0上，其中Si摻雜濃度>2×10¹⁸cm^-3；

一第一漸變限制層2，其為摻Si的N型Al_xGa_1-xAs層并形成于緩沖層1上，其中Si摻雜濃度>2×10¹⁸cm^-3，x=0.1-0.5；

一第一波導層3，其為摻Si的N型Al_0.5Ga_0.5As層并形成于第一漸變限制層2上，其中Si摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3；

一第二波導層4，其為摻Si的N型Al_0.5Ga_0.5As層并形成于第一波導層3上，其中Si摻雜濃度為2-5×10¹⁷cm^-3；

一第一量子阱壘層5，其為非摻雜Al_0.3Ga_0.7As層并形成于第二波導層4上；

一量子阱有源層6，其為非摻雜In_0.1Al_0.12Ga_0.78As層并形成于第一量子阱壘層5上；

一第二量子阱壘層7，其為非摻雜Al_0.3Ga_0.7As層并形成于量子阱有源層6上；

一第三波導層8，其為摻C的P型Al_0.5Ga_0.5As層并形成于第二量子阱壘層7上，其中C摻雜濃度為2-5×10¹⁷cm^-3；

一腐蝕停止層9，其為摻C的P型InGaP層并形成于第三波導層8上，其中，C摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3；

一第四波導層10，其為摻C的P型Al_0.5Ga_0.5As層并形成于腐蝕停止層9上，其中C摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3；

一第二漸變限制層11，其為摻C的P型Al_xGa_1-xAs層并形成于第四波導層10上，其中C摻雜濃度為2×10¹⁸cm^-3，x=0.5-0.1；

一歐姆接觸層12，其為摻C的P型GaAs層并形成于第二漸變限制層11上，其中C摻雜濃度為5×10¹⁹cm^-3；

一絕緣介質層13，其為SiN層并形成于歐姆接觸層12上；

一P型上電極14，其為TiPtAu層并形成于歐姆接觸層12上；

一N型下電極15，其為Au-Ge-Ni層并形成于襯底0的下面。

進一步地，其中所述腐蝕停止層9的厚度為10nm。?

進一步地，其中所述絕緣介質層13的厚度為250nm，折射率為2.0。?

進一步地，其中所述P型上電極14的厚度為2μm。?

進一步地，其中所述N型下電極15的厚度為5000μm。?

本發明還提供一種波長為808nm的大功率激光器芯片結構的制作方法，包括以下步驟：?