[發明專利]波長為808nm的大功率激光器芯片結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201210541694.0
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103022892A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 羅飚;王任凡
• 申請（專利權）人: 武漢電信器件有限公司
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02;H01S5/343
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張瑾

1.一種波長為808nm的大功率激光器芯片結構，其特征在于，包括：

一襯底(0)，其為100取向的摻Si的N型GaAs層，其中Si摻雜濃度>1×10¹⁸cm^-3；

一緩沖層(1)，其為摻Si的N型GaAs層并形成于襯底(0)上，其中Si摻雜濃度>2×10¹⁸cm^-3；

一第一漸變限制層(2)，其為摻Si的N型Al_xGa_1-xAs層并形成于緩沖層(1)上，其中Si摻雜濃度>2×10¹⁸cm^-3，x=0.1-0.5；

一第一波導層(3)，其為摻Si的N型Al_0.5Ga_0.5As層并形成于第一漸變限制層(2)上，其中Si摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3；

一第二波導層(4)，其為摻Si的N型Al_0.5Ga_0.5As層并形成于第一波導層(3)上，其中Si摻雜濃度為2-5×10¹⁷cm^-3；

一第一量子阱壘層(5)，其為非摻雜Al_0.3Ga_0.7As層并形成于第二波導層(4)上；

一量子阱有源層(6)，其為非摻雜In_0.1Al_0.12Ga_0.78As層并形成于第一量子阱壘層(5)上；

一第二量子阱壘層(7)，其為非摻雜Al_0.3Ga_0.7As層并形成于量子阱有源層(6)上；

一第三波導層(8)，其為摻C的P型Al_0.5Ga_0.5As層并形成于第二量子阱壘層(7)上，其中C摻雜濃度為2-5×10¹⁷cm^-3；

一腐蝕停止層(9)，其為摻C的P型InGaP層并形成于第三波導層(8)上，其中C摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3；

一第四波導層(10)，其為摻C的P型Al_0.5Ga_0.5As層并形成于腐蝕停止層(9)上，其中C摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3；

一第二漸變限制層(11)，其為摻C的P型Al_xGa_1-xAs層并形成于第四波導層(10)上，其中C摻雜濃度為2×10¹⁸cm^-3，x=0.5-0.1；

一歐姆接觸層(12)，其為摻C的P型GaAs層并形成于第二漸變限制層(11)上，其中C摻雜濃度為5×10¹⁹cm^-3；

一絕緣介質層(13)，其為SiN層并形成于歐姆接觸層(12)上；

一P型上電極(14)，其為TiPtAu層并形成于歐姆接觸層(12)上；

一N型下電極(15)，其為Au-Ge-Ni層并形成于襯底(0)的下面。

2.如權利要求1所述的大功率激光器芯片結構，其特征在于，所述腐蝕停止層(9)的厚度為10nm。

3.如權利要求1所述的大功率激光器芯片結構，其特征在于，所述絕緣介質層(13)的厚度為250nm，折射率為2.0。

4.如權利要求1所述的大功率激光器芯片結構，其特征在于，所述P型上電極(14)的厚度為2μm。

5.如權利要求1所述的大功率激光器芯片結構，其特征在于，所述N型下電極(15)的厚度為5000μm。