[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝件及其制法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210540336.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103165551A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李宏仁;張恕銘;劉滄宇;何彥仕
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括：

一芯片，其具有第一部分與第二部分，該第二部分設(shè)于該第一部分上，且具有至少一通孔以外露出部分的該第一部分，該第一部分及/或該第二部分具有微機(jī)電系統(tǒng)；以及

止蝕層，其形成于該第一部分與該第二部分之間，并外露于該通孔中的第一部分的表面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括基板，其設(shè)于該第一部分相對(duì)設(shè)置該第二部分的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板表面具有電性連接墊。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該芯片的第一部分通過(guò)凸塊設(shè)于該基板上，使該第一部分與該基板之間具有間距。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板為芯片結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該芯片的第一部分具有連通該通孔的凹處。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該止蝕層設(shè)于該凹處上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該凹處具有底部及側(cè)壁，且該止蝕層設(shè)于該凹處的底部或側(cè)壁上。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括設(shè)于該通孔上的保護(hù)層，使該通孔與該凹處形成密封空間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括封蓋該通孔的保護(hù)層。

11.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，包括：

提供一具有第一部分與第二部分的晶圓，該晶圓具有形成于該第一部分與該第二部分間的止蝕層，其中，該第一部分或/及該第二部分具有微機(jī)電系統(tǒng)；

蝕刻該第二部分以形成至少一通孔，令該止蝕層的部分表面外露出該通孔；以及

形成保護(hù)層于該第二部分上，以封蓋該通孔。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括先將該第一部分設(shè)于一基板上。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該基板為晶圓結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一部分通過(guò)凸塊設(shè)于該基板上，使該第一部分與該基板之間具有間距。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于該基板上設(shè)置該第一部分時(shí)，該基板表面上具有電性連接墊，且該第一部分具有位于該電性連接墊上方的覆蓋部。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括移除該覆蓋部及其上的止蝕層與第二部分，以外露出該電性連接墊。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一部分的設(shè)于該基板上的一側(cè)具有位于該覆蓋部上的缺口。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，還包括：

于形成該通孔后，移除該通孔中的止蝕層，令該第一部分的部分表面外露出該通孔；

于形成該保護(hù)層前，移除該通孔中的部分第一部分，以于該第一部分上形成凹處，該凹處具有底部；以及

于形成該保護(hù)層后，該通孔與該凹處形成密封空間。

19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一部分具有凹處，該凹處具有底部及側(cè)壁，且該止蝕層形成于該凹處的底部及側(cè)壁上，該第二部分具有凸處，該凸處位于該凹處中，且該通孔位置對(duì)應(yīng)于該凸處。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括：于形成該保護(hù)層前，令該止蝕層外露出該通孔；以及于形成該保護(hù)層后，令該通孔與該凹處形成密封空間。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括當(dāng)形成該保護(hù)層前，移除該凹處中的止蝕層。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，移除該凹處中的止蝕層后，于該凹處的底部或側(cè)壁上留有該止蝕層。