[發明專利]用于芯片卡的增益天線結構

有效

• 申請號: 201210540277.4
• 申請日: 2012-12-13
• 公開（公告）號: CN103165971A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 斯特凡·拉姆彼特茨賴特爾;托馬斯·格里肖弗;安德烈亞斯·沃爾勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/38
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;李慧

1.一種用于芯片卡的增益天線結構，其中，所述增益天線結構具有：

·增益天線；和

·與所述增益天線相連的額外的能導電的結構。

2.根據權利要求1所述的增益天線結構，其中，所述增益天線和所述額外的能導電的結構一起形成了裝置，所述裝置具有大約為13.56MHz的諧振頻率。

3.根據權利要求1或2所述的增益天線結構，其中，所述額外的能導電的結構具有曲折形結構。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的增益天線結構，其中，所述額外的能導電的結構具有至少為5Ω的歐姆的交流電阻。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的增益天線結構，其中，所述額外的能導電的結構和所述增益天線由不同的材料制成。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的增益天線結構，其中，所述額外的能導電的結構和所述增益天線相互串聯。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的增益天線結構，其中，所述額外的能導電的結構和所述增益天線相互并聯。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的增益天線結構，其中，所述增益天線具有至少一個感應耦合區域。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的增益天線結構，其中，所述增益天線結構還具有電容器。

10.根據權利要求9所述的增益天線結構，其中，所述電容器設計為平板電容器。

11.根據權利要求9所述的增益天線結構，其中，所述電容器具有多個平行相鄰地布置的導線，其中，每兩個導線與同一個電容器電極相連。

12.根據權利要求9至11中任一項所述的增益天線結構，其中，形成所述電容器的結構和所述增益天線結構布置在同一個平面中。

13.一種非接觸式-芯片卡模塊-裝置，具有：

根據權利要求1至12中任一項所述的增益天線結構，

非接觸式-芯片卡模塊，所述非接觸式-芯片卡模塊具有：

·芯片；和

·線圈，所述線圈與所述芯片電耦合；

其中，所述增益天線結構與所述非接觸式-芯片卡模塊的所述線圈借助于增益天線的至少一個感應耦合區域感應地耦合。

14.根據權利要求13所述的非接觸式-芯片卡模塊-裝置，其中，所述增益天線結構與所述非接觸式-芯片卡模塊是功率相匹配的，并且其中，所述匹配能通過額外的能導電的結構來調節。

15.根據權利要求13或14所述的非接觸式-芯片卡模塊-裝置，其中，所述增益天線的所述至少一個感應耦合區域具有圍繞所述非接觸式-芯片卡模塊的所述線圈的結構。

16.根據權利要求15所述的非接觸式-芯片卡模塊-裝置，其中，所述圍繞的結構具有至少一個匝，所述匝圍繞所述非接觸式-芯片卡模塊的所述線圈。

17.根據權利要求13至16中任一項所述的非接觸式-芯片卡模塊-裝置，其中，所述增益天線的所述至少一個感應耦合區域布置在所述增益天線的角區域中。

18.根據權利要求13至17中任一項所述的非接觸式-芯片卡模塊-裝置，其中，所述增益天線的所述至少一個感應耦合區域位于由形成所述增益天線的帶狀導線所劃定邊界的區域內部。

19.根據權利要求13至17中任一項所述的非接觸式-芯片卡模塊-裝置，其中，所述增益天線的所述至少一個感應耦合區域位于由形成所述增益天線的帶狀導線所劃定邊界的區域外部。

20.一種非接觸式-芯片卡模塊-裝置，具有：

根據權利要求1至12中任一項所述的增益天線結構，

非接觸式-芯片卡模塊，所述非接觸式-芯片卡模塊具有：

·芯片；和

·線圈，所述線圈與所述芯片電耦合；

其中，所述增益天線結構與所述非接觸式-芯片卡模塊的所述線圈感應地耦合；其中，增益天線-外部的能導電的結構具有歐姆的交流電阻，所述交流電阻的值由所述芯片的運行頻率、增益天線的電感和所述增益天線的品質因數得出。