[發明專利]一種CMOS電路結構、其制備方法及顯示裝置

無效

• 申請號: 201210537466.6
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103000631A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 任章淳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/26
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及電路制造技術領域，尤其涉及一種CMOS電路結構、其制備方法及顯示裝置。

背景技術

互補金屬氧化物半導體（CMOS，Complementary?Metal?OxideSemiconductor）由P型溝道金屬氧化物半導體（PMOS，Positive?channel?MetalOxide?Semiconductor）和N型溝道金屬氧化物半導體（NMOS，Negativechannel-Metal-Oxide-Semiconductor）共同構成。

目前，一般都是采用低溫多晶硅（LTPS，Low?Temperature?Poly-silicon）技術分別制備CMOS電路中PMOS區域和NMOS區域的半導體層，其制備工藝相對復雜，具體工藝步驟如下：

步驟1：在襯底基板01之上，利用一次構圖工藝形成位于PMOS區域A的PMOS半導體層02的圖形，以及位于NMOS區域B的NMOS半導體層03的圖形，如圖1a所示；

其中，PMOS半導體層02和NMOS半導體層03的制備過程具體為：在襯底基板01上形成一層a-Si材料，經過激光晶化后形成的多晶硅材料，然后通過一次構圖工藝利用多晶硅形成PMOS半導體層02和NMOS半導體層03的圖形。

步驟2：在PMOS半導體層02和NMOS半導體層03上形成柵絕緣層04，并在柵絕緣層04上沉積柵極材料，通過一次構圖工藝形成位于PMOS區域A內的PMOS柵極05的圖形，以及位于NMOS區域B內的NMOS柵極06的圖形，如圖1b所示；

步驟3：對PMOS半導體層01進行P型離子摻雜，具體地，在NMOS柵極06上通過一次構圖工藝形成覆蓋NMOS區域B的摻雜阻擋層07的圖形，如圖1c；然后，對具有摻雜阻擋層07的襯底基板01注入P型離子，在PMOS半導體層01沒有被PMOS柵極05遮擋的區域形成P型摻雜多晶硅，如圖1d；在注入P型離子后，剝離摻雜阻擋層07。

步驟4：對NMOS半導體層02進行N型離子摻雜，其具體工藝和P型離子摻雜相同，在此不做詳述；

步驟5：對NMOS半導體層依次進行LDD摻雜以及Ch摻雜工藝，由于LDD摻雜以及Ch摻雜工藝與P型離子摻雜工藝類似，在此不做詳述；

步驟6：在PMOS柵極和NMOS柵極上利用一次構圖工藝形成層間介質層08的圖形，如圖1e所示；

步驟7：在層間介質層08上利用一次構圖工藝形成位于PMOS區域A內的PMOS源漏極09的圖形，以及位于NMOS區域B內的NMOS源漏極10的圖形，如圖1f所示。

具體地，上述CMOS電路在應用于OLED面板時，在完成上述步驟1至步驟7后，還需要執行如下步驟：

步驟8：在PMOS源漏極09和NMOS源漏極10之上利用一次構圖工藝形成鈍化層11的圖形，并在鈍化層11上利用一次構圖工藝形成平坦層12的圖形，如圖1g所示；

步驟9：在平坦層上利用一次構圖工藝形成作為陽極的像素層的圖形，該像素層與PMOS源漏極的源極或漏極電性相連，如圖1h所示；

步驟10：在像素層上利用一次構圖工藝形成像素限定層的圖形，如圖1i所示。

在上述利用LTPS工藝制備CMOS電路的過程中，需要使用至少10次以上的光刻膠掩膜板和至少4次以上的摻雜工藝（P型離子摻雜、N型離子摻雜、LDD摻雜以及Ch摻雜），制作流程復雜，生產成本較高，并且，在步驟1中需要將整層的a-Si材料激光結晶化，以得到多晶硅材料，長時間的激光結晶化過程會增加產品的生產成本，并且會降低激光管的使用壽命，也增加了生產成本。

發明內容

本發明實施例提供了一種CMOS電路結構、其制備方法及顯示裝置，用以優化現有技術中的CMOS電路結構并優化其制作工藝流程，降低生產成本。

本發明實施例提供的一種CMOS電路結構，具有PMOS區域和NMOS區域，包括：依次位于襯底基板之上的PMOS半導體層和NMOS半導體層、柵絕緣層、PMOS柵極和NMOS柵極、層間介質層、以及PMOS源漏極和NMOS源漏極，其中，

所述PMOS半導體層、PMOS柵極和PMOS源漏極位于PMOS區域內；所述PMOS半導體層由P型摻雜多晶硅材料制成；

所述NMOS半導體層、NMOS柵極和NMOS源漏極位于NMOS區域內；所述NMOS半導體層由氧化物材料制成。

本發明實施例提供的一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的CMOS電路結構。

本發明實施例提供的一種CMOS電路結構的制備方法，包括：