[發(fā)明專利]一種CMOS電路結(jié)構(gòu)、其制備方法及顯示裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210537466.6
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103000631A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任章淳
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/26
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種CMOS電路結(jié)構(gòu)，具有PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域，其特征在于，包括：依次位于襯底基板之上的PMOS半導(dǎo)體層和NMOS半導(dǎo)體層、柵絕緣層、PMOS柵極和NMOS柵極、層間介質(zhì)層、以及PMOS源漏極和NMOS源漏極，其中，

所述PMOS半導(dǎo)體層、PMOS柵極和PMOS源漏極位于PMOS區(qū)域內(nèi)；所述PMOS半導(dǎo)體層由P型摻雜多晶硅材料制成；

所述NMOS半導(dǎo)體層、NMOS柵極和NMOS源漏極位于NMOS區(qū)域內(nèi)；所述NMOS半導(dǎo)體層由氧化物材料制成。

2.如權(quán)利要求1所述的CMOS電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化物材料為銦鎵氧化鋅IGZO、氧化鋅ZnO、氧化銦鋅IZO、銦錫氧化鋅ITZO。

3.如權(quán)利要求1所述的CMOS電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述襯底基板與所述PMOS半導(dǎo)體層和NMOS半導(dǎo)體層之間的緩沖層。

4.如權(quán)利要求1所述的CMOS電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述PMOS源漏極通過過孔與所述PMOS半導(dǎo)體層連接；所述NMOS源漏極通過過孔與所述NMOS半導(dǎo)體層連接。

5.如權(quán)利要求1-4任一項所述的CMOS電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：依次位于所述PMOS源漏極和NMOS源漏極之上的平坦層、以及作為陽極的像素層，所述像素層通過過孔與所述PMOS源漏極的源極或漏極電性相連。

6.如權(quán)利要求5所述的CMOS電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述像素層之上的像素限定層。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項所述的CMOS電路結(jié)構(gòu)。

8.一種CMOS電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板之上形成位于PMOS區(qū)域的PMOS半導(dǎo)體層的圖形，以及位于NMOS區(qū)域的NMOS半導(dǎo)體層的圖形；其中，所述PMOS半導(dǎo)體層由多晶硅材料制成，所述NMOS半導(dǎo)體層由氧化物材料制成；

在所述PMOS半導(dǎo)體層和NMOS半導(dǎo)體層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成位于PMOS區(qū)域內(nèi)的PMOS柵極的圖形，以及位于NMOS區(qū)域內(nèi)的NMOS柵極的圖形；

對所述PMOS半導(dǎo)體層進(jìn)行P型離子摻雜；

在所述PMOS柵極和NMOS柵極上形成層間介質(zhì)層的圖形；

在所述層間介質(zhì)層上形成位于PMOS區(qū)域內(nèi)的PMOS源漏極的圖形，以及位于NMOS區(qū)域內(nèi)的NMOS源漏極的圖形。

9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板之上形成位于PMOS區(qū)域的PMOS半導(dǎo)體層的圖形，具體包括：

在襯底基板上形成a-Si層的圖形；

利用u-結(jié)晶化、激光退火、選擇性激光燒結(jié)、金屬誘導(dǎo)晶化、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶或連續(xù)粒狀結(jié)晶硅的方式將a-Si層晶化形成PMOS半導(dǎo)體層。

10.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在襯底基板之上形成位于NMOS區(qū)域的NMOS半導(dǎo)體層的圖形時，具體采用濺射、原子層沉積或金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積的方式形成所述NMOS半導(dǎo)體層。

11.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，對所述PMOS半導(dǎo)體層進(jìn)行P型離子摻雜，具體包括：

在所述NMOS柵極上形成覆蓋NMOS區(qū)域的摻雜阻擋層的圖形；

對具有摻雜阻擋層的襯底基板注入P型離子；

剝離所述摻雜阻擋層。

12.如權(quán)利要求8-11任一項所述的制備方法，其特征在于，在襯底基板之上形成位于PMOS區(qū)域的PMOS半導(dǎo)體層的圖形之前，還包括：

在所述襯底基板上形成緩沖層。

13.如權(quán)利要求8-11任一項所述的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述PMOS源漏極和NMOS源漏極之上形成平坦層的圖形；

在所述平坦層上形成作為陽極的像素層的圖形，所述像素層與所述PMOS源漏極的源極或漏極電性相連；

在所述像素層上形成像素限定層的圖形。