[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210537450.5
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN103681982A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳彥瑋;余國輝;王建鈞
• 申請（專利權(quán)）人: 奇力光電科技股份有限公司;佛山市奇明光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/46;H01L21/683;H01L21/268
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種制作方法，特別是涉及一種發(fā)光二極管的制作方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（light?emitting?diode,LED）是一種由半導(dǎo)體材料制作而成的發(fā)光元件，具有耗電量低、元件壽命長、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，再加上體積小容易制成極小或陣列式元件的特性，因此近年來隨著技術(shù)不斷地進(jìn)步，其應(yīng)用范圍也由指示燈、背光源甚至擴(kuò)大到了照明領(lǐng)域。

在高功率發(fā)光二極管的發(fā)展中，現(xiàn)有的水平導(dǎo)通式發(fā)光二極管的水平結(jié)構(gòu)面積的增加卻使得元件操作時(shí)所產(chǎn)生的熱能更容易累積于發(fā)光二極管芯片上，造成元件的溫度上升而影響其發(fā)光效率及產(chǎn)品可靠度。因此，在提升發(fā)光二極管的光取出能力上，散熱能力也是不容忽視的一環(huán)。另外，目前有許多方法可用來提升發(fā)光二極管的輸出亮度及改善其發(fā)光效率，其中一個(gè)可行方法就是在發(fā)光二極管的背面上鍍一高反射率的金屬反射鏡，此反射鏡不僅可提升發(fā)光二極管的輸出亮度，還可幫助發(fā)光二極管進(jìn)行散熱。因此，金屬反射鏡的設(shè)置已是現(xiàn)有水平式高功率發(fā)光二極管的最佳選擇。

請分別參照圖1A至圖1E所示，其分別為現(xiàn)有一種發(fā)光二極管的制作流程示意圖。

首先，如圖1A所示，在一外延基板11上形成具有一n-GaN層121、一多重量子阱層122及一p-GaN層123的一外延結(jié)構(gòu)12。接著，如圖1B所示，間隔形成一溝槽T于外延結(jié)構(gòu)12上，以分別露出n-GaN層121。另外，再分別形成一第一電極P1及一第二電極P2于各p-GaN層123及各n-GaN層121上。接著，如圖1C所示，在n-GaN層121上以激光預(yù)切方式進(jìn)行切割，以形成多個(gè)切痕C。之后，如圖1D所示，在外延基板11的下表面鍍上一反射層13。最后，如圖1E所示，進(jìn)行管芯劈裂，以形成多個(gè)具有反射層13的發(fā)光二極管管芯。

在上述步驟中，當(dāng)以激光預(yù)切方式進(jìn)行切割時(shí)，會(huì)于芯片上留下黑色的熔渣，此熔渣必須利用化學(xué)藥劑清除，以免影響成品后的發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。然而，以化學(xué)藥劑清除黑色熔渣時(shí)往往熔渣無法被去除干凈，導(dǎo)致發(fā)光二極管的發(fā)光亮度衰減而影響其發(fā)光效率。因此，如何提供一種發(fā)光二極管的制作方法，可改善其發(fā)光效率，是業(yè)者一直努力的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管的制作方法，本發(fā)明的制作方法不會(huì)有激光切割所殘留的黑色熔渣，因此不會(huì)導(dǎo)致發(fā)光二極管的發(fā)光亮度衰減而影響其發(fā)光效率。

為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制作方法包括提供一外延基板，外延基板具有一第一表面與一第二表面，其中第一表面與第二表面分別位于外延基板的相反側(cè)；形成一外延結(jié)構(gòu)于外延基板的第一表面上，其中外延結(jié)構(gòu)具有一第一半導(dǎo)體層及一第二半導(dǎo)體層；形成一溝槽于外延結(jié)構(gòu)上，溝槽暴露出第一半導(dǎo)體層；提供一固定基板設(shè)置于外延結(jié)構(gòu)及第一半導(dǎo)體層上；提供一能量由外延基板的第二表面進(jìn)入外延基板，并聚焦于第一表面及第二表面之間；形成一反射層于外延基板的第二表面上；以及移除固定基板，并進(jìn)行管芯劈裂，以形成多個(gè)發(fā)光二極管管芯。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，外延結(jié)構(gòu)還具有一有源層，有源層夾置于第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)層之間。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，基板包含一膠帶、一蠟、一光致抗蝕劑材料或一硬性基板，或其組合。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，通過溝槽定義單顆的發(fā)光二極管管芯。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，能量由一激光光照射所產(chǎn)生。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，能量的照射位置與溝槽對應(yīng)。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，能量破壞外延基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，反射層經(jīng)過蒸鍍或?yàn)R鍍制作工藝，以形成于外延基板的第二表面上。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，反射層為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，反射層的材質(zhì)包含銀、鋁、金、鈦、鉻、鎳、銦錫氧化物，或其組合。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，制作方法還包括于外延結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體層上形成一電流阻障層。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，制作方法還包括形成一第一電極于外延結(jié)構(gòu)之上及形成一第二電極于第一半導(dǎo)體層之上。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，制作方法還包括形成一保護(hù)層于外延結(jié)構(gòu)上，其中保護(hù)層露出第一電極及第二電極。

在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，制作方法還包括減薄外延基板。