[發明專利]發光二極管的制作方法

無效

• 申請號: 201210537450.5
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103681982A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 陳彥瑋;余國輝;王建鈞
• 申請（專利權）人: 奇力光電科技股份有限公司;佛山市奇明光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/46;H01L21/683;H01L21/268
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光二極管的制作方法，包括：

提供一外延基板，該外延基板具有第一表面與第二表面，其中該第一表面與該第二表面分別位于該外延基板的相反側；

形成一外延結構于該外延基板的該第一表面上，其中該外延結構具有第一半導體層及第二半導體層；

形成一溝槽于該外延結構上，其中該溝槽暴露出該第一半導體層；

提供一固定基板設置于該外延結構及該第一半導體層上；

提供一能量由該外延基板的該第二表面進入該外延基板，并聚焦于該第一表面及該第二表面之間；

形成一反射層于該外延基板的該第二表面上；以及

移除該固定基板，并進行管芯劈裂，以形成多個發光二極管管芯。

2.如權利要求1所述的制作方法，其中該外延結構還具有有源層，該有源層夾置于該第一半導體層及該第二半導體層之間。

3.如權利要求1所述的制作方法，其中該固定基板包含膠帶、蠟、光致抗蝕劑材料或硬性基板，或其組合。

4.如權利要求1所述的制作方法，其中通過該溝槽定義單顆的發光二極管管芯。

5.如權利要求1所述的制作方法，其中該能量由一激光光照射所產生。

6.如權利要求1所述的制作方法，其中該能量的照射位置與該溝槽對應。

7.如權利要求1所述的制作方法，其中該能量破壞該外延基板的內部結構。

8.如權利要求1所述的制作方法，其中該反射層經過蒸鍍或濺鍍制作工藝，以形成于該外延基板的該第二表面上。

9.如權利要求1所述的制作方法，其中該反射層為單層結構或多層結構。

10.如權利要求1所述的制作方法，其中該反射層的材質包含銀、鋁、金、鈦、鉻、鎳、銦錫氧化物，或其組合。

11.如權利要求2所述的制作方法，還包括：

在該外延結構的該第二半導體層上形成一電流阻障層。

12.如權利要求1所述的制作方法，還包括：

形成一第一電極于該外延結構之上；及

形成一第二電極于該第一半導體層之上。

13.如權利要求12所述的制作方法，還包括：

形成一保護層于該外延結構上，其中該保護層露出該第一電極及該第二電極。

14.如權利要求1所述的制作方法，還包括：

減薄該外延基板。