[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201210536963.4 | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103000640A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮;金熙哲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diodes,OLED)以其制備工藝簡單、成本低、發光顏色可在可見光區內任意調節以及易于大面積和柔性彎曲等優點,被認為是未來最重要的顯示技術之一。尤其是白光OLED(WOLED)的功率效率已經超過了60lm/W,壽命達到了2萬個小時以上,極大地推動了WOLED的發展。
如圖1中(a)所示,其中一種WOLED采用紅綠藍三基色摻雜成有機發光層102,使得有機發光層102發出白光,有機發光層102位于陰極101和陽極103之間,發光層發出的白光通過陰極101反射后從陽極103的一側出射。為了提高光的透過率,增大WOLED顯示裝置的亮度,在陽極的一側,且對應彩膜上每一種顏色濾光片的區域各設有半反半透層103',從而形成微腔結構(microcavity?structure),如圖1中(b)所示,微腔結構是指在一反射層和一半反半透層間形成的厚度為微米量級的結構,其加強光的強度的原理為:光線會在層中不斷反射,由于諧振作用,故最終從半反半透層射出的光線中特定波長的光會得到加強,而該得到加強的波長與微腔厚度有關。在白光有機發光二極管顯示裝置中,不同像素單元是用于發出不同顏色的光的,因此不同像素單元中的微腔應能使不同波長的光(與微腔外對應的彩膜顏色相同的光)獲得增強,即不同像素單元中的微腔厚度不同。
如圖2和3所示為現有的兩種WOLED陣列基板的層次結構示意圖,彩膜位于微腔結構的外部,由上述原理可知彩膜上每種顏色對應的微腔結構厚度不一樣,如圖2中的300和圖3中的400。由于各色光的波長不一樣,其對應的微腔結構也不盡相同,厚度的也不同。例如圖3中,Cathode為有機發光二極管的陰極,Anode為陽極,兩者之間為發白光的有機發光層(通常采用RGB三原色的有機材料混合而成)。R、G、B及W分別代表紅光、綠光、藍光及白光的出光區域,Red?CF、Green?CF和Blue?CF分別為彩膜上紅色、綠色及藍色的濾光片。各色光的微腔結構都包括位于OC層(保護層)上方的IZO或ITO層,對于R、G、B,還包括SiNx及SiOx(硅的氮化物及硅的氧化物)層,對于R和B還包括除了陽極以外的IZO/ITO層,WOLED發出的白光透過上述各層后,對應色光的透過率會增大。如圖4所示,點線對應無微腔結構時的透過率(即亮度),實線對應有微腔結構的透過率,對于藍光透過率大約為原來的1.6倍,對于綠光透過率大約為原來的2.5倍,對于紅光透過率大約為原來的2.2倍。
由圖2和圖3可看出,雖然現有的微腔結構增大了光的透過率,但現有的微腔結構層次結構比較復雜,而且每個顏色的濾光片對應的區域制作不同厚度的微腔結構,制作工藝較復雜。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是:如何實現制作工藝簡單的微腔結構,從而增大WOLED顯示裝置的透過率。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本發明提供了一種陣列基板,包括多個位于基板上的像素單元,所述像素單元包括:
形成在基板上的薄膜晶體管結構;
以及由所述薄膜晶體管結構驅動的有機發光二極管,所述有機發光二極管位于所述像素單元的像素區域,所述有機發光二極管在遠離基板的方向上依次包括透明的第一電極、發光層、反射光線的第二電極;
半反半透層,位于所述有機發光二極管與所述薄膜晶體管結構之間;
彩膜,位于所述有機發光二極管的第二電極與所述半反半透層之間;
所述有機發光二極管的第二電極與所述半反半透層形成微腔結構。
其中,所述薄膜晶體管結構包括:形成在基板上的第一柵極、第二柵極,形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層,形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層,形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極,形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極,所述第一漏極連接所述第二柵極,所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關薄膜晶體管,所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅動薄膜晶體管;
所述驅動薄膜晶體管的第二漏極與所述有機發光二極管的第一電極電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





