[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210536963.4
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103000640A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮(zhèn);金熙哲
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括：

形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

以及由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述有機發(fā)光二極管在遠離基板的方向上依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、反射光線的第二電極；

半反半透層，位于所述有機發(fā)光二極管與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間；

彩膜，位于所述有機發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層之間；

所述有機發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括：形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動薄膜晶體管；

所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二漏極與所述有機發(fā)光二極管的第一電極電連接。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上還形成有鈍化層；所述有機發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機發(fā)光二極管的第二電極為陰極，第一電極為陽極，且所述陽極通過所述鈍化層的過孔連接第二漏極，所述半反半透層形成在所述鈍化層之上，所述彩膜形成在所述半反半透層之上，且彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同，所述半反半透層和彩膜均位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述發(fā)光二極管的陽極位于所述彩膜上方。

4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上還形成有鈍化層；所述有機發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機發(fā)光二極管的第一電極為陰極，第二電極為陽極，且所述陰極通過所述鈍化層的過孔連接第二漏極，所述半反半透層形成在所述鈍化層之上，所述彩膜形成在所述半反半透層之上，且彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同，所述半反半透層和彩膜均位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述發(fā)光二極管的陰極位于所述彩膜上方。

5.如權(quán)利要求3或4所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜和所述第一電極之間還設(shè)有樹脂層，所述第一電極通過穿過樹脂層及鈍化層的過孔連接所述第二漏極。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述像素單元的所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對應(yīng)區(qū)域，且位于所述第一電極之上還形成有像素定義層。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層由銀、鋁、鉬、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過率為5%~95%。

8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層厚度為：

9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜的厚度為：

10.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜包括：紅綠藍、紅綠藍黃或紅綠藍白模式的彩膜。

11.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟：

在基板上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個像素單元；

在所述像素單元的像素區(qū)域形成半反半透層及彩膜的圖形，使所述彩膜位于所述半反半透層之上；

在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機發(fā)光二極管，使半反半透層和彩膜位于所述有機發(fā)光二極管和所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間。

12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述在所述像素單元的像素區(qū)域形成半反半透層及彩膜的圖形具體包括：

在所述鈍化層上形成半反半透薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成半反半透層的圖形；

在形成所述半反半透層的基板上形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形，且每種顏色的彩色濾光薄膜厚度不同。