[發明專利]半導體裝置的制造方法無效
| 申請號: | 201210536892.8 | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103165474A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 盛田浩介;高本尚英;千歲裕之 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/54 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體裝置的制造方法。
背景技術
基于電子機器的小型·薄型化的高密度安裝的需求近年來急劇地增加。應這種需要,采用了將半導體晶片的背面(與形成有圖案的電路面相反側的面)研磨而將半導體裝置薄型化的方法。半導體晶片的背面研磨一般通過使背面研磨用帶貼合于半導體晶片的電路面,對半導體晶片的背面實施研磨加工而進行。
另一方面,對于半導體組件而言,適于高密度安裝的表面安裝型代替了以往的銷插入型而成為主流。就該表面安裝型而言,直接將引線焊接于印制電路板等。作為加熱方法,可利用紅外線回流焊、氣相回流焊、浸焊等對組件整體進行加熱而進行安裝。
在表面安裝后,為了半導體元件表面的保護、確保半導體元件與基板之間的連接可靠性,而進行了向半導體元件與基板之間的空間填充密封樹脂。作為這樣的密封樹脂,廣泛使用的是液狀的密封樹脂,但是對于液狀的密封樹脂來說,注入位置、注入量的調節是困難的。因此,還提出了使用片狀的密封樹脂(底層填充片)來填充半導體元件與基板之間的空間的技術(專利文獻1)。
一般來說,在使用底層填充片的工藝中,采用了利用貼附于半導體元件的底層填充片來填充基板等被粘附體與半導體元件之間的空間,同時將半導體元件連接于被粘附體而進行安裝這樣的步驟。在上述工藝中,被粘附體與半導體元件之間的空間的填充變得容易。
專利文獻
專利文獻1:日本專利第4438973號
發明內容
發明所要解決的課題
但是,在上述工藝中需要考慮如下幾點。
第1,在上述工藝中,從使導體晶片的電路面與底層填充片貼合出發,需要底層填充片追隨半導體晶片表面的凹凸而與其密合。但是,伴隨著半導體晶片上的凸點等立體結構物的數量的增加、電路的狹小化,存在底層填充片與半導體晶片的密合的程度降低,在半導體晶片與底層填充片之間產生空隙(氣泡)的情況。若在半導體晶片與底層填充材料的界面存在氣泡,則在以后的工序中,有時在進行減壓處理、加熱處理時氣泡發生膨脹,而半導體晶片與底層填充材料之間的密合性降低,其結果是:在將半導體元件安裝于被粘附體時,半導體元件與被粘附體的連接可靠性降低。另外,在半導體晶片的背面研磨、切割時水分混進氣泡中的情況下,若在此之后進行加熱工序,則該水分進行蒸發,氣泡擴大或膨脹,結果導致半導體元件與被粘附體的連接可靠性降低。
第2,本申請發明人等為了使從半導體晶片的背面研磨或切割開始至半導體元件-被粘附體間的空間的填充為止的一系列的工序高效化,而嘗試開展了使背面研磨用帶與底層填充片組合的技術、或使切割帶(DicingTape)與底層填充片組合的技術。對于這種技術而言,從使半導體晶片的電路面與底層填充片貼合出發,而需要底層填充片追隨半導體晶片表面的凹凸而與其密合。但是,伴隨半導體晶片上的凸點等立體結構物的數量的增加、電路的狹小化,存在底層填充片與半導體晶片的密合的程度降低,在半導體晶片與底層填充片之間產生空隙(氣泡)的情況。若在半導體晶片與底層填充材料的界面中存在氣泡,則在以后的工序中進行減壓處理、加熱處理時,存在氣泡膨脹而半導體晶片與底層填充材料之間的密合性降低的情況,其結果是:在將半導體元件安裝于被粘附體時,半導體元件與被粘附體的連接可靠性降低。另外,在半導體晶片的背面研磨、切割時水分混進氣泡中的情況下,若在此之后進行加熱工序,則該水分進行蒸發,氣泡擴大或膨脹,結果導致半導體元件與被粘附體的連接可靠性降低。
本發明的目的在于提供能夠抑制在半導體元件與底層填充片的界面中產生空隙,從而制造可靠性高的半導體裝置的半導體裝置的制造方法。
解決課題的手段
本申請發明人等對第1點進行了深入的研究,結果發現通過采用下述構成而能夠實現前述目的,從而完成了本發明。
即,本發明是具備被粘附體、與該被粘附體電連接的半導體元件、和將該被粘附體與該半導體元件之間的空間填充的底層填充材料的半導體裝置的制造方法;
其包括:
準備工序,準備具備支承材和層疊于該支承材上的底層填充材料的密封片,
熱壓接工序,使半導體晶片的形成有連接構件的電路面與上述密封片的底層填充材料在10000Pa以下的減壓氣氛、0.2MPa以上的按壓、和40℃以上的熱壓接溫度的條件下熱壓接,
切割工序,將上述半導體晶片切割而形成帶有上述底層填充材料的半導體元件,和
連接工序,用上述底層填充材料將上述被粘附體與上述半導體元件之間的空間填充,并且經由上述連接構件將上述半導體元件與上述被粘附體電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





