[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210536892.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103165474A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盛田浩介;高本尚英;千歲裕之
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/50;H01L21/54
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置具備被粘附體、與該被粘附體電連接的半導(dǎo)體元件、和將該被粘附體與該半導(dǎo)體元件之間的空間填充的底層填充材料，

所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：

準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備具備支承材和層疊于該支承材上的底層填充材料的密封片，

熱壓接工序，使半導(dǎo)體晶片的形成有連接構(gòu)件的電路面與所述密封片的底層填充材料在10000Pa以下的減壓氣氛、0.2MPa以上的按壓、和40℃以上的熱壓接溫度的條件下熱壓接，

切割工序，將所述半導(dǎo)體晶片切割而形成帶有所述底層填充材料的半導(dǎo)體元件，和

連接工序，用所述底層填充材料將所述被粘附體與所述半導(dǎo)體元件之間的空間填充，并且經(jīng)由所述連接構(gòu)件將所述半導(dǎo)體元件與所述被粘附體電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在所述貼合工序后的所述半導(dǎo)體晶片與所述底層填充材料的界面基本上不存在氣泡。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在10～10000Pa的減壓氣氛、0.2～1MPa的按壓、和40～120℃的熱壓接溫度的條件下進(jìn)行所述熱壓接工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，熱固化前的所述底層填充材料在所述熱壓接溫度下的熔融粘度為20000Pa·s以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述底層填充材料包含熱塑性樹(shù)脂和熱固化性樹(shù)脂。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述熱塑性樹(shù)脂包含丙烯酸樹(shù)脂，所述熱固化性樹(shù)脂包含環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述底層填充材料的厚度T與所述連接構(gòu)件的高度H之比T/H為0.5～2，T和H的單位都為μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述支承材是基材。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述支承材是具備基材和層疊于該基材上的粘合劑層的背面研磨用帶或者切割帶。