[發(fā)明專利]SOI H型柵MOS器件的建模方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210536882.4
• 申請(qǐng)日: 2013-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102982215A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卜建輝;畢津順;羅家俊;韓鄭生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 北京漢昊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波;何平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及器件提參建模領(lǐng)域，特別涉及一種對(duì)H型柵SOI?MOS器件建模的方法。?

背景技術(shù)

隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展和越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，集成電路設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮其高可靠性、高性能、低成本的要求，人們對(duì)IC?CAD軟件統(tǒng)計(jì)容差分析、優(yōu)化設(shè)計(jì)、成品率、成本分析及可靠性預(yù)測(cè)的功能和精度要求也越來(lái)越高。而在IC?CAD軟件中，MOSFET的器件模型是將IC設(shè)計(jì)和IC產(chǎn)品功能與性能聯(lián)系起來(lái)的關(guān)鍵紐帶。伴隨著集成器件尺寸越來(lái)越小，集成規(guī)模越來(lái)越大，集成電路工序越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)器件模型的精度要求也越來(lái)越高。當(dāng)今一個(gè)精確的MOSFET模型無(wú)疑已成為IC?CAD設(shè)計(jì)者首要解決的問(wèn)題，一直也是國(guó)際上研究的重點(diǎn)和熱點(diǎn)。目前業(yè)界主流的MOSFET器件模型為BSIM模型，所對(duì)應(yīng)的SOI?MOSFET器件模型為BSIMSOI模型。?

BSIMSOI所針對(duì)的器件為條型柵器件，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)時(shí)，為了方便進(jìn)行體引出，MOSFET會(huì)采用H型柵器件結(jié)構(gòu)，在此種情況下會(huì)增加延伸源體結(jié)側(cè)面電容以及延伸漏體結(jié)側(cè)面電容，原有的BSIMSOI模型沒(méi)有考慮此因素的影響。?

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)之前建立的模型無(wú)法考慮到H型柵器件延伸源體結(jié)側(cè)面電容以及延伸漏體結(jié)側(cè)面電容對(duì)于器件性能的影響，本發(fā)明提供了一種對(duì)H型柵SOI?MOS器件建模的方法，該方法包括：?

a）建立包含模擬條型柵SOI?MOS器件的初級(jí)MOS器件模型以?及模擬延伸源體PN結(jié)側(cè)面電容的延伸源體PN結(jié)側(cè)面電容模型和模擬延伸漏體PN結(jié)側(cè)面電容的延伸漏體PN結(jié)側(cè)面電容模型的總體模型；?

b）對(duì)總體模型中的初級(jí)MOS器件模型和延伸源體PN結(jié)側(cè)面電容模型和延伸漏體PN結(jié)側(cè)面電容模型分別進(jìn)行參數(shù)提取。?

根據(jù)本發(fā)明提供的建模方法，考慮延伸源體結(jié)側(cè)面電容以及延伸漏體結(jié)側(cè)面電容對(duì)于H型柵SOI器件的性能的影響，提高了模型的精確度，能夠有效的運(yùn)用于對(duì)H型柵SOI器件的仿真設(shè)計(jì)。?

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：?

圖1為根據(jù)本發(fā)明的H型柵SOI?MOS器件建模方法的流程圖；?

圖2為示例性的H型柵SOI?MOS器件的版圖示意圖；?

圖3為本發(fā)明的模擬H型柵SOI?MOS器件的總體模型的大致電路圖。?

附圖中相同或相似的附圖標(biāo)記代表相同或相似的部件。?

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)描述。?

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。?

下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為?了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。?

下面參考圖1~圖3來(lái)說(shuō)明本發(fā)明。?

圖1為根據(jù)本發(fā)明的H型柵SOI?MOS器件建模方法的流程圖。?

在步驟S?101中，建立包含模擬條型柵SOI?MOS器件的初級(jí)MOS器件模型以及模擬延伸源體PN結(jié)側(cè)面電容的延伸源體PN結(jié)側(cè)面電容模型和模擬延伸漏體PN結(jié)側(cè)面電容的延伸漏體PN結(jié)側(cè)面電容模型的總體模型。其中，初級(jí)MOS器件模型為BSIMSOI模型，延伸源體PN結(jié)側(cè)面電容模型和延伸漏體PN結(jié)側(cè)面電容模型為SPICE中的PN結(jié)電容模型。?

參考圖2來(lái)說(shuō)明本發(fā)明所針對(duì)的H型柵SOI?MOS器件。?