[發明專利]SOI H型柵MOS器件的建模方法有效
| 申請號： | 201210536882.4 | 申請日： | 2013-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN102982215A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 卜建輝;畢津順;羅家俊;韓鄭生 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | soi 型柵 mos 器件 建模 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種SOI?MOS器件的建模方法，其中該SOI?MOS器件為H型柵SOI?MOS器件，該方法包括：
a）建立包含模擬條型柵SOI?MOS器件的初級MOS器件模型以及模擬延伸源體PN結側面電容的延伸源體PN結側面電容模型和模擬延伸漏體PN結側面電容的延伸漏體PN結側面電容模型的總體模型；
b）對總體模型中的初級MOS器件模型和延伸源體PN結側面電容模型和延伸漏體PN結側面電容模型分別進行參數提取。
2.根據權利要求1所述的方法，其中初級MOS器件模型為BSIMSOI模型。
3.根據權利要求1或2中所述的方法，其中延伸源體PN結側面電容模型和延伸漏體PN結側面電容模型為SPICE中的PN結電容模型。
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