[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 201210536785.5 | 申請日： | 2012-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN103681548B | 公開（公告）日： | 2017-10-24 |
| 發明（設計）人： | 禹卓均 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人： | 顧紅霞,何勝勇 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，包括：
第一線，其與硅穿孔電連接，并形成在所述硅穿孔上；
第二線，其與所述第一線電連接，并形成在所述第一線上方；以及
第一電力線和第二電力線，其形成在所述硅穿孔上方，使得所述第一電力線和所述第二電力線覆蓋所述硅穿孔，
其中，所述第一電力線和所述第二電力線形成在與所述第二線相同的層上，并且不與所述硅穿孔電連接。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線彼此相鄰。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
當所述硅穿孔中存在缺陷部分時，所述第一電力線和所述第二電力線彼此電連接。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線形成在所述硅穿孔的上部的中部上方。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線構造成狹縫的形式。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線與不同的電源電連接。
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線與電源線相連。
8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，
所述第二電力線與接地電壓線相連。
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線形成線圖案。
10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線均具有與所述第二線的高度相同的高度。
11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線均具有比所述第二線的臨界尺寸小的臨界尺寸。
12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一線和所述第二線均包括金屬。
13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，
所述第一線和所述第二線經由金屬觸點而彼此電連接。
14.一種半導體器件，包括：
第一線，其與硅穿孔電連接，并形成在所述硅穿孔上方；
第二線，其與所述第一線電連接，并形成在所述第一線上方；
第一電力線和第二電力線，其形成在所述硅穿孔上方，使得所述第一電力線和所述第二電力線覆蓋所述硅穿孔；以及
測試單元，其構造成檢測所述第一電力線和所述第二電力線之間流動的電流，
其中，所述第一電力線和所述第二電力線形成在與所述第二線相同的層上，并且不與所述硅穿孔電連接。
15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，
所述測試單元包括用于選擇所述第一電力線和所述第二電力線的選擇單元，并且在正常測試模式期間選擇主芯片電源。
16.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線彼此相鄰。
17.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，
當所述硅穿孔中存在缺陷部分時，所述第一電力線和所述第二電力線彼此電連接。
18.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線形成在所述硅穿孔的上部的中部上方。
19.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線構造成狹縫的形式。
20.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線和所述第二電力線與不同的電源相連。
21.根據權利要求20所述的半導體器件，其中，
所述第一電力線與電源線相連。
22.根據權利要求20所述的半導體器件，其中，
所述第二電力線與接地電壓線相連。
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