[發(fā)明專(zhuān)利]芯片測(cè)試結(jié)構(gòu)、裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210535779.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103869234A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林景洋 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 復(fù)格企業(yè)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R31/28 | 分類(lèi)號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北市*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 測(cè)試 結(jié)構(gòu) 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種測(cè)試結(jié)構(gòu)、裝置及方法,特別關(guān)于一種芯片測(cè)試結(jié)構(gòu)、裝置及方法。
背景技術(shù)
近年來(lái)由于芯片制造技術(shù)的提升,有效地增加了生產(chǎn)的速度,大量的芯片快速地被制造出來(lái),如果沒(méi)有測(cè)試流程將不良的芯片篩選,會(huì)為應(yīng)用帶來(lái)極大的不便,伴隨著生產(chǎn)加速而有必要同步演進(jìn)的測(cè)試技術(shù),成了目前芯片制造廠(chǎng)最渴望精進(jìn)的課題。
芯片生產(chǎn)雖然依照標(biāo)準(zhǔn)流程進(jìn)行,一切由機(jī)械化處理,但是并不能保證生產(chǎn)出來(lái)的芯片百分之百的品質(zhì),必定會(huì)有一定比率的不良品,該些不良品如果流入市面或是安裝到高精度的儀器上,將會(huì)造成使用者極大的不便;因此,有必要對(duì)生產(chǎn)出來(lái)的芯片做品質(zhì)測(cè)試,將不良品篩選出來(lái);如果測(cè)試流程的速度可以有效提升,還可以加快銷(xiāo)售的速度,進(jìn)一步增進(jìn)以芯片制作儀器的速度。
芯片測(cè)試的方式是將電信號(hào)輸送至待測(cè)芯片里,再讓信號(hào)由芯片回傳給測(cè)試系統(tǒng),讓系統(tǒng)辨認(rèn)信號(hào)的完整性,藉此評(píng)斷芯片的良劣與否。
然而,現(xiàn)有的測(cè)試系統(tǒng)僅一次對(duì)一個(gè)芯片做測(cè)試。若有多個(gè)待測(cè)芯片時(shí),測(cè)試系統(tǒng)需依次地對(duì)該些待測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試,并無(wú)法同時(shí)測(cè)試該些芯片;因此,該些待測(cè)芯片都測(cè)試完將會(huì)耗費(fèi)大量的時(shí)間。再者,該些芯片測(cè)試完后,必需將該些芯片從測(cè)試系統(tǒng)取出后,才能讓下一批待測(cè)芯片裝放置在該測(cè)試系統(tǒng)中來(lái)進(jìn)行測(cè)試;換言之,下一批的待測(cè)芯片無(wú)法短時(shí)間內(nèi)就放置在測(cè)試系統(tǒng)中進(jìn)行測(cè)試,而是需等到前一批芯片從測(cè)試系統(tǒng)取出后。總結(jié)地說(shuō),現(xiàn)有的芯片測(cè)試系統(tǒng)在測(cè)試多個(gè)或多批芯片時(shí),測(cè)試效率并不佳。
有鑒于此,提供一種可改善上述缺失的芯片測(cè)試結(jié)構(gòu)、裝置或方法,乃為業(yè)界亟待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種芯片測(cè)試結(jié)構(gòu)、裝置及方法,可改善多個(gè)或多批芯片的測(cè)試效率。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明提供的芯片測(cè)試結(jié)構(gòu),包括一測(cè)試元件、一承載元件及多個(gè)芯片。測(cè)試元件具有一第一基板、至少一第一電連接器及一測(cè)試模塊,測(cè)試模塊及第一電連接器都設(shè)置在第一基板上,且第一電連接器電性連接測(cè)試模塊;承載元件具有一第二基板、至少一第二電連接器及多個(gè)芯片承載座,芯片承載座及第二電連接器都設(shè)置在該第二基板上,且第二電連接器電性連接該些芯片承載座;芯片分別可分離地設(shè)置在芯片承載座上;第一電連接器及第二電連接器相電性連接,以使該測(cè)試模塊得以檢測(cè)該些芯片承載座上的該些芯片。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明提供的芯片測(cè)試裝置,包括:一外殼,具有一第一基座及一第二基座,該第一基座及該第二基座分別具有多個(gè)軌道,該第一基座及該第二基座為相并排;以及至少一如上所述的芯片測(cè)試結(jié)構(gòu),該芯片測(cè)試結(jié)構(gòu)的該測(cè)試元件設(shè)置在該第一基座的該些軌道的其中一個(gè)上,該承載元件設(shè)置在該第二基座的該些軌道的其中一個(gè)上。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明提供的芯片測(cè)試方法,包括:將多個(gè)芯片分別設(shè)置在一承載元件的多個(gè)芯片承載座上;將該承載元件電性連接一測(cè)試元件,使得該測(cè)試元件的一測(cè)試模塊電性連接該些芯片承載座及該些芯片;以及使該測(cè)試模塊檢測(cè)該些芯片承載座上的該些芯片。
為讓上述目的、技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文以較佳的實(shí)施例配合所示附圖進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
附圖說(shuō)明
圖1為依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的芯片測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖;
圖2為圖1的芯片測(cè)試結(jié)構(gòu)的芯片及芯片承載座的示意圖;
圖3為依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的芯片測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖;
圖4為依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的芯片測(cè)試裝置的示意圖;
圖5為圖4的芯片測(cè)試裝置的基座的示意圖;
圖6為圖4的芯片測(cè)試裝置的測(cè)試結(jié)構(gòu)與外殼的示意圖;
圖7為依據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的芯片測(cè)試方法的流程圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明:
1、2:芯片測(cè)試結(jié)構(gòu);
3:芯片測(cè)試裝置;
10:測(cè)試元件;
11:第一基板;
12:第一電連接器;
13:測(cè)試模塊;
20:承載元件;
21:第二基板;
22:第二電連接器;
23:芯片承載座;
24:把手;
30:芯片;
40:連接件;
50:外殼;
51:第一基座;
511:軌道;
52:第二基座;
521:軌道;
53:隔板;
60:加熱器。
具體實(shí)施方式
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線(xiàn)路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線(xiàn)或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
- 自動(dòng)化測(cè)試方法和裝置
- 一種應(yīng)用于視頻點(diǎn)播系統(tǒng)的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
- Android設(shè)備的測(cè)試方法及系統(tǒng)
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- 測(cè)試方法、測(cè)試裝置、測(cè)試設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
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- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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