[發(fā)明專利]陣列基板、制作方法及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210534066.X | 申請(qǐng)日: | 2012-12-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103022033A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬禹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括:驅(qū)動(dòng)集成電路IC、像素區(qū)域以及連接所述驅(qū)動(dòng)集成電路IC與所述像素區(qū)域的數(shù)條長(zhǎng)度不等的連接線,其特征在于,所述連接線包括金屬線和電阻線,其中,
所述電阻線與所述金屬線串聯(lián)連接,或者,
所述電阻線與所述金屬線的一部分并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,各條所述連接線的電阻總值之間偏差小于或者等于0.1%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,各條所述連接線的電阻總值相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬線與所述電阻線位于不同層,且所述金屬線與所述電阻線之間具有絕緣層,所述金屬線與所述電阻線通過(guò)過(guò)孔相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬線與所述電阻線位于相鄰的兩層或同層,所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述電阻線的材料為所述像素區(qū)域的像素電極材料。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接線的圖像,所述連接線的圖形包括金屬線的圖形和電阻線的圖形,其中,
所述電阻線與所述金屬線串聯(lián)連接,或者,
所述電阻線與所述金屬線的一部分并聯(lián)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述連接線為連接掃描驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的掃描線時(shí),所述方法包括:
形成金屬線的圖形;
形成電阻線的圖形,所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接;
形成第一絕緣層;
形成數(shù)據(jù)線的圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述連接線為連接掃描驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的掃描線時(shí),所述方法包括:
形成金屬線的圖形;
形成第三絕緣層,通過(guò)構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔圖形;
形成電阻線的圖形,使得所述金屬線與所述電阻線通過(guò)所述過(guò)孔相連接;
形成第一絕緣層;
形成數(shù)據(jù)線的圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述連接線為連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線時(shí),所述方法包括:
形成掃描線的圖形;
形成第二絕緣層;
形成金屬線的圖形;
形成電阻線的圖形,所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述連接線為連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線時(shí),所述方法包括:
形成掃描線的圖形;
形成第二絕緣層;
形成金屬線的圖形;
形成第四絕緣層,通過(guò)構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔圖形;
形成電阻線的圖形,使得所述金屬線與所述電阻線通過(guò)所述過(guò)孔相連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





