[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210533578.4
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103165648B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 崔鐘炫;李東炫;李大宇;陳圣鉉;金廣海
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L27/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 王占杰,韓明星

本申請要求于2011年12月14日在韓國知識產權局提交的第10-2011-0134464號韓國專利申請的權益，通過引用將該申請的公開內容全部包含于此。

技術領域

示例實施例的一個方面涉及一種有機發光顯示裝置和一種制造該有機發光顯示裝置的制造方法。

背景技術

近來，顯示裝置正在被便攜的薄平板顯示裝置取代。平板顯示裝置中的有機發光顯示裝置是自發射顯示裝置，并且與其他顯示裝置相比，具有更大的視角、更好的對比度特性和更快的響應速率，因此作為下一代顯示裝置而受到關注。

有機發光顯示裝置具有中間層、第一電極和第二電極。中間層包括有機發射層，當向第一電極和第二電極提供電壓時，有機發射層產生可見光。

發明內容

示例實施例提供了一種有機發光顯示裝置和一種制造該有機發光顯示裝置的制造方法，可由此改善藍光的發射性質。

根據示例實施例的一個方面，提供了一種有機發光顯示裝置，所述有機發光顯示裝置包括：基板，包括多個紅色子像素區域、綠色子像素區域和藍色子像素區域；像素電極，在基板上的所述多個紅色子像素區域、綠色子像素區域和藍色子像素區域中的每個中；分布式布拉格反射器(DBR)層，在基板和像素電極之間；高折射率層，在基板和在藍色子像素區域中的DBR層之間，所述高折射率層的面積比藍色子像素區域中的相應的像素電極的面積小；中間層，在像素電極上，并包括發射層；以及相對電極，在中間層上。

DBR層可通過交替堆疊具有不同的折射率的第一層和第二層來形成。

第一層的折射率可小于第二層的折射率。

第一層可由氧化硅形成，第二層可由氮化硅形成。

高折射率層可具有比DBR層的折射率大的折射率。

高折射率層可由多晶硅形成。

所述有機發光顯示裝置還可包括設置在基板和DBR層之間的輔助層。

輔助層可由氧化硅形成。

高折射率層可設置在輔助層上。

根據示例實施例的另一個方面，提供了一種有機發光顯示裝置，所述有機發光顯示裝置包括：在基板上的薄膜晶體管(TFT)，所述TFT具有有源層、與有源層絕緣的柵極、層間絕緣層以及位于層間絕緣層上的源極和漏極，所述柵極包括下柵極和上柵極，層間絕緣層覆蓋柵極，源極和漏極與有源層接觸；在基板上的有機發光器件，所述有機發光器件包括電連接到TFT的像素電極、相對電極和包括發射層的中間層的堆疊結構；在TFT的有源層和柵極之間的DBR層；以及在基板和DBR層之間的高折射率層，所述高折射率層具有比像素電極的面積小的面積。

高折射率層可設置在基板上，以面對用于發射藍光的藍色子像素的像素電極，所述像素電極包括在有機發光器件中。

高折射率層可具有比DBR層的折射率大的折射率。

高折射率層可由多晶硅形成。

所述有機發光顯示裝置還可包括設置在基板和DBR層之間的輔助層。

輔助層可由氧化硅形成。

高折射率層可設置在輔助層上。

DBR層可通過交替堆疊具有不同的折射率的第一層和第二層來形成。

第一層的折射率可小于第二層的折射率。

第一層可由氧化硅形成，第二層可由氮化硅形成。

高折射率層可由與用于形成有源層的材料相同的材料形成。

高折射率層可設置在與其上形成有有源層的層相同的層上。

所述有機發光顯示裝置還可包括電容器，所述電容器包括下電容器電極和上電容器電極，下電容器電極形成在與形成有源層所在的層相同的層上，上電容器電極形成在DBR層上，電容器電結合到TFT。

高折射率層可設置在與其上形成有有源層和下電容器電極的層相同的層上。

高折射率層可由與用于形成有源層和下電容器電極的材料相同的材料形成。

根據示例實施例的又一個方面，提供了一種制造有機發光顯示裝置的方法，所述方法包括：第一掩模工藝，在基板上形成TFT的有源層和高折射率層；第二掩模工藝，在基板上形成TFT的柵極和用于形成像素電極的第一電極單元；第三掩模工藝，形成層間絕緣層，層間絕緣層包括暴露有源層的邊緣的接觸孔和暴露第一電極單元的一部分的孔；第四掩模工藝，形成通過接觸孔接觸有源層的源極和漏極，并利用第一電極單元形成像素電極；以及第五掩模工藝，形成暴露像素電極的至少一部分的像素限定層。

所述第一掩模工藝可包括：在基板上形成非晶硅層；通過使非晶硅層結晶化來形成多晶硅層；以及通過將多晶硅層圖案化來形成有源層和高折射率層。