[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210533578.4
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103165648B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發(fā)明（設計）人: 崔鐘炫;李東炫;李大宇;陳圣鉉;金廣海
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L27/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 王占杰,韓明星

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：

基板，包括多個紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域；

像素電極，在基板上的所述多個紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域中的每個中；

分布式布拉格反射器層，在基板和像素電極之間；

高折射率層，位于基板與紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域中的僅藍色子像素區(qū)域中的分布式布拉格反射器層之間，所述高折射率層的面積比藍色子像素區(qū)域中的相應的像素電極的面積小；

中間層，包括發(fā)射層，并在像素電極上；以及

相對電極，在中間層上，

其中，從藍色子像素區(qū)域中的發(fā)射層發(fā)射的藍光穿過基板，所述藍光的僅一部分穿過高折射率層。

2.根據權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，分布式布拉格反射器層包括彼此堆疊的第一層和第二層，第一層和第二層具有不同的折射率。

3.根據權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第一層的折射率小于第二層的折射率。

4.根據權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第一層包括氧化硅，第二層包括氮化硅。

5.根據權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層具有比分布式布拉格反射器層的折射率大的折射率。

6.根據權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層包括多晶硅。

7.根據權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括設置在基板和分布式布拉格反射器層之間的輔助層。

8.根據權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，輔助層包括氧化硅。

9.根據權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層在輔助層上。

10.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：

薄膜晶體管，在基板上，所述薄膜晶體管包括有源層、柵極、層間絕緣層以及源極和漏極，柵極與有源層絕緣，柵極包括下柵極和上柵極，層間絕緣層覆蓋柵極，源極和漏極在層間絕緣層上，源極和漏極與有源層接觸；

有機發(fā)光器件，在基板上，所述有機發(fā)光器件包括電連接到薄膜晶體管的像素電極、包括發(fā)射層的中間層和相對電極的堆疊結構；

分布式布拉格反射器層，在薄膜晶體管的有源層和柵極之間；以及

高折射率層，在基板和分布式布拉格反射器層之間，所述高折射率層具有比像素電極的面積小的面積，

其中，從發(fā)射層發(fā)射的光穿過基板，所述光的僅一部分穿過高折射率層。

11.根據權利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層面對藍色子像素的像素電極。

12.根據權利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層具有比分布式布拉格反射器層的折射率大的折射率。

13.根據權利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層包括多晶硅。

14.根據權利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括設置在基板和分布式布拉格反射器層之間的輔助層。

15.根據權利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，輔助層包括氧化硅。

16.根據權利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層在輔助層和分布式布拉格反射器層之間。

17.根據權利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，分布式布拉格反射器層包括交替堆疊的第一層和第二層，第一層和第二層具有不同的折射率。

18.根據權利要求17所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第一層的折射率比第二層的折射率小。

19.根據權利要求17所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第一層包括氧化硅，第二層包括氮化硅。

20.根據權利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層包括與薄膜晶體管的有源層相同的材料。

21.根據權利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，高折射率層直接在與薄膜晶體管的有源層所在的層相同的層上。