[發明專利]非線性光學晶體亞碲鉬酸鎘及其制備和用途

有效

• 申請號: 201210533567.6
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103014868B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 羅軍華;趙三根;陳天亮;周攀;張書泉;孫志華
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C30B11/00;G02F1/355
• 代理公司: 暫無信息
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技術領域

本發明涉及化學式為CdTeMoO₆的非線性光學晶體亞碲鉬酸鎘、這種晶體的制備方法以及利用該晶體制作的非線性光學器件。

背景技術

具有非線性光學效應的晶體稱為非線性光學晶體。這里非線性光學晶體效應是指倍頻、和頻、差頻、參量放大等效應。利用晶體的非線性光學效應， 可以制成二次諧波發生器， 上、下頻率轉換器，光參量振蕩器等非線性光學器件。激光器產生的激光可通過非線性光學器件進行頻率轉換，從而獲得更多有用波長的激光，使激光器得到更廣泛的應用。

近年來，同時含有d⁰過渡金屬離子(Ti⁴⁺, Nb⁵⁺, Mo⁶⁺, etc.)和具有孤對電子的陽離子(Pb²⁺, Bi³⁺, Te⁴⁺, I⁵⁺, etc.) 復合組成的非線性光學材料吸引了越來越多的關注。對于這兩種陽離子，它們都容易發生姜-泰勒畸變，形成非中心對稱的結構基元，而具有兩種非中心對稱結構基元的非中心對稱材料往往具有更為突出的非線性光學效應。這類材料有很多，包括BaTeM₂O₉ (M = Mo⁶⁺ or W⁶⁺) （參見《J. Am. Chem. Soc.》Vol 125, 7764, 2003），BaNbO(IO₃)₅（參見《J. Am. Chem. Soc.》Vol 131, 9486，2009）, Li₂Ti(IO₃)₆（參見《J. Am. Chem. Soc.》 Vol 131, 2426，2009）, Na₂TeW₂O₉（參見《Chem. Mater.》Vol 14, 3174，2002）, Cs₂TeMo₃O₁₂（參見《Inorg. Chem.》Vol 37, 4764，1998）, Na₂Te₃Mo₃O₁₆（參見《Chem. Mater.》Vol 18, 2070，2006）, Li₆(Mo₂O₅)₃(SeO₃)₆（參見《Inorg. Chem.》Vol 51, 9529，2012）, (NH₄)₂Te₂WO₈（參見《Chem. Mater.》Vol 20, 3542，2008）,等等。然而，在此類材料中，其電荷補償離子都是堿金屬、堿土金屬或銨離子等對非線性光學效應的貢獻可以忽略的離子。于是，采用能對非線性光學效應產生貢獻的d¹⁰離子如Zn²⁺、Cd²⁺代替上述補償離子，便有可能得到一類包含三種非對稱結構基元的新型非線性光學材料。由于具有更高濃度的非線性光學活性基元，這類非線性光學材料可能會具有更大的非線性光學效應?；谏鲜鏊枷?，本發明人在大量探索的基礎上，作出了本發明。

發明內容

本發明的目的之一是提供一種非線性光學晶體亞碲鉬酸鎘。

本發明的目的之一是提供亞碲鉬酸鎘單晶體的制備方法。

本發明的目的之一是提供一種非線性光學器件。

本發明的技術方案如下：

本發明提供一種非線性光學晶體，其特征在于: 其化學式為CdTeMoO₆，分子量為351.94，其晶體結構屬四方晶系，空間群；晶胞參數為a = b = 5.2860(7) ?，c = 9.0660(18) ?, V = 253.32(7) ?³, Z=2。