[發(fā)明專利]非線性光學(xué)晶體亞碲鉬酸鎘及其制備和用途

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210533567.6
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103014868B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅軍華;趙三根;陳天亮;周攀;張書泉;孫志華
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C30B11/00;G02F1/355
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種非線性光學(xué)晶體亞碲鉬酸鎘的制備方法，特征在于：所述的非線性光學(xué)晶體亞碲鉬酸鎘的化學(xué)式為CdTeMoO₆，它的晶體結(jié)構(gòu)屬四方晶系，空間群，所述的制備方法包括如下步驟：

一)稱取摩爾比CdO：TeO₂：MoO₃＝1：1：1的CdO、TeO₂和MoO₃，混合均勻后，緩慢升至600℃，恒溫72小時，中途取出研磨數(shù)次，得CdTeMoO₆多晶粉末；

二)然后將所合成的CdTeMoO₆多晶粉末裝入的開口鉑金坩堝中，之后在豎直式單晶生長爐中快速升溫至800℃，恒溫24小時，快速降溫至700℃，然后以20℃/天的速率降溫至室溫，得到片狀CdTeMoO₆晶體；

三)切取所得片狀CdTeMoO₆晶體質(zhì)量較好部分作為籽晶，重新將原料升溫融化，然后快速冷卻到飽和溫度以上10–15℃，緩慢地把裝有籽晶的籽晶桿伸入坩堝的熔體中，并啟動籽晶桿上端的轉(zhuǎn)動裝置，并以轉(zhuǎn)動速率為1–50轉(zhuǎn)/分轉(zhuǎn)動籽晶，恒溫半小時后，快速降溫到飽和溫度，然后以0.2–5℃/天的速率降溫，待單晶生長到所需尺寸后，提升籽晶，使晶體脫離液面，仍將晶體留在爐子中退火，以不大于50℃/小時的速率降溫至室溫，得到大尺寸CdTeMoO₆晶體。