[發明專利]非線性光學晶體亞碲鉬酸鎘及其制備和用途有效
| 申請號： | 201210533567.6 | 申請日： | 2012-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN103014868B | 公開（公告）日： | 2017-07-14 |
| 發明（設計）人： | 羅軍華;趙三根;陳天亮;周攀;張書泉;孫志華 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B29/46 | 分類號： | C30B29/46;C30B11/00;G02F1/355 |
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| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非線性 光學 晶體 鉬酸 及其 制備 用途 | ||
【權利要求書】：
1.一種非線性光學晶體亞碲鉬酸鎘的制備方法，特征在于：所述的非線性光學晶體亞碲鉬酸鎘的化學式為CdTeMoO6，它的晶體結構屬四方晶系，空間群，所述的制備方法包括如下步驟：
一)稱取摩爾比CdO：TeO2：MoO3＝1：1：1的CdO、TeO2和MoO3，混合均勻后，緩慢升至600℃，恒溫72小時，中途取出研磨數次，得CdTeMoO6多晶粉末；
二)然后將所合成的CdTeMoO6多晶粉末裝入的開口鉑金坩堝中，之后在豎直式單晶生長爐中快速升溫至800℃，恒溫24小時，快速降溫至700℃，然后以20℃/天的速率降溫至室溫，得到片狀CdTeMoO6晶體；
三)切取所得片狀CdTeMoO6晶體質量較好部分作為籽晶，重新將原料升溫融化，然后快速冷卻到飽和溫度以上10–15℃，緩慢地把裝有籽晶的籽晶桿伸入坩堝的熔體中，并啟動籽晶桿上端的轉動裝置，并以轉動速率為1–50轉/分轉動籽晶，恒溫半小時后，快速降溫到飽和溫度，然后以0.2–5℃/天的速率降溫，待單晶生長到所需尺寸后，提升籽晶，使晶體脫離液面，仍將晶體留在爐子中退火，以不大于50℃/小時的速率降溫至室溫，得到大尺寸CdTeMoO6晶體。
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