[發明專利]發光設備及其制造方法

無效

• 申請號: 201210533376.X
• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN103032684A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 和田直樹
• 申請（專利權）人: 東芝照明技術株式會社;株式會社東芝
• 主分類號: F21K2/00
• 分類號: F21K2/00;H01S5/00;H01S5/022
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王瓊

1.一種發光設備，包括：

殼體；

窗口；和

設置在由殼體和窗口形成的封閉空間中的半導體激光器，

該窗口包括沒有暴露于封閉空間設置的熒光材料，

該熒光材料吸收從半導體激光器發射的激光并且發射具有的波長不同于激光波長的二次光，并且

二次光穿過窗口射出。

2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括設置在封閉空間中的半導體底座材料，該半導體底座材料具有底面和側面，至少部分側面是反射鏡部分，

該半導體激光器安裝在半導體底座材料的底面上，并且

從半導體激光器發射并且由反射鏡部分反射的激光由熒光材料吸收。

3.如權利要求1所述的設備，其特征在于，熒光材料為任意一種摻雜有從包括二價銪、三價銪、三價鋱、三價鈰和三價鐠的組中選取的一或多種稀土離子的晶體和玻璃。

4.如權利要求1所述的設備，其特征在于，熒光材料是（Y_xGd_1-X）（Al_YGa_1-Y）O₁₂。

5.如權利要求1所述的設備，其特征在于，封閉空間為惰性氣體環境。

6.如權利要求1所述的設備，其特征在于，激光的波長為470納米或更小。

7.如權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括：

第一電極；

第二電極；以及

所述殼體是具有形成于主表面中凹槽部的半導體襯底，該主表面具有第一面取向，該凹槽部具有側面，且該側面具有第二面取向；

所述半導體激光器安裝在凹槽部中；

所述窗口包括晶體和玻璃中任一種形式的熒光材料，該熒光材料固定到半導體襯底的主表面上并熒光材料將半導體激光器封裝在凹槽部中形成的封閉空間內；

所述第一電極在與主表面相對的半導體襯底的主表面上延伸，該第一電極連接至半導體激光器的主電極之一；和

所述第二電極在半導體襯底的側面上延伸，該第二電極連接至半導體激光器的主電極中的另一個；

該熒光材料吸收從半導體激光器發射并且由凹槽部的側面反射的激光并且發射具有的波長不同于激光波長的二次光。

8.如權利要求7所述的設備，其特征在于，熒光材料為任意一種摻雜有從包括二價銪、三價銪、三價鋱、三價鈰和三價鐠的組中選取的一或多種稀土離子的晶體和玻璃。

9.如權利要求7所述的設備，其特征在于，熒光材料是（Y_xGd_1-X）（Al_YGa_1-Y）O₁₂。

10.如權利要求7所述的設備，其特征在于，封閉空間為惰性氣體環境。

11.如權利要求7所述的設備，其特征在于，激光的波長為470納米或更小。

12.一種用于制造發光設備的方法，包括：

在半導體襯底的主表面中形成凹槽部，該主表面具有第一面取向，該凹槽部具有側面，且該側面具有第二面取向；

將半導體激光器安裝在凹槽部的底面上；

在半導體襯底的主表面上形成表面電極并且將該表面電極連接至半導體激光器；以及

并且將晶體和玻璃中任一種形式的熒光材料粘合到半導體襯底的主表面上以將半導體激光器封裝在凹槽部內。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括：

在封裝之后將半導體襯底和熒光材料切割并且分成發光設備的管芯，每個發光設備的管芯包括激光元件和表面電極；

將分開的發光設備的管芯并置，其中每個發光設備的管芯的切割面面向相同方向；

通過在每個并置的發光設備的管芯的切割面上沉積導電材料形成連接至表面電極的側電極；以及

將并置的發光設備的管芯彼此分開。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，側電極形成有保持不平行于導電材料的金屬目標的表面的切割面。