[發(fā)明專利]發(fā)光設備及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210533376.X
• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN103032684A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設計）人: 和田直樹
• 申請（專利權(quán)）人: 東芝照明技術(shù)株式會社;株式會社東芝
• 主分類號: F21K2/00
• 分類號: F21K2/00;H01S5/00;H01S5/022
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王瓊

本申請是專利申請?zhí)枮?01010126067.1、發(fā)明名稱為“發(fā)光設備及其制造方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請基于下列現(xiàn)有申請并要求其優(yōu)先權(quán)：2009年3月26日提交的編號為2009-77312的日本專利申請；2009年7月31日提交的編號為2009-179015的日本專利申請；其全部內(nèi)容在此引入作為參考。

技術(shù)領域

本發(fā)明的實施例通常涉及一種發(fā)光設備及其制造方法。

背景技術(shù)

在照明、各類顯示、光通信、液晶顯示器（LCD）的背后照明等的發(fā)光設備包括具有如下結(jié)構(gòu)的那些發(fā)光設備，其中例如發(fā)光二極管（LED）的發(fā)光設備的管芯和熒光體放置在由樹脂、陶瓷等制成的封裝中（例如，參見JP-A?2009-010360（Kokai））。

白色發(fā)光二極管可以形成這樣一種發(fā)光設備，其中熒光體可以使用發(fā)射例如紫外線（UV）到藍光的發(fā)光設備的管芯激發(fā)。

然而，使用LED的熒光體的激發(fā)生成的每發(fā)光設備的發(fā)光輸出低。因此，發(fā)光設備的發(fā)光效率很低。另一方面，在為避免這種問題的情形中，高功率輸出的半導體激光器安裝在封裝中以激發(fā)熒光，熒光體使用強光照射，從熒光體中產(chǎn)生摻雜氣體。這種摻雜氣體導致半導體激光器的惡化并且降低了發(fā)光設備的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種發(fā)光設備，包括：殼體；窗口；設置在由殼體和窗口形成的封閉空間中的半導體激光器；和晶體和玻璃中任一種形式的熒光材料，該熒光材料設置在封閉空間中，該熒光材料吸收半導體激光器發(fā)射的激光并且發(fā)射具有的波長不同于激光波長的二次光，且二次光穿過窗口射出。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種發(fā)光設備，包括:殼體；窗口；和設置在由殼體和窗口形成的封閉空間中的半導體激光器，該窗口包括未暴露于封閉空間設置的熒光材料，該熒光材料吸收半導體激光器發(fā)射的激光并且發(fā)射具有的波長不同于激光波長的二次光，并且二次光穿過窗口射出。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種發(fā)光設備，包括：具有形成于主表面中凹槽部的半導體襯底，該主表面具有第一面取向，該凹槽部具有側(cè)面，且該側(cè)面具有第二面取向；安裝在凹槽部中的半導體激光器；晶體和玻璃中任一種形式的熒光材料，該熒光材料固定到半導體襯底的主表面上并將半導體激光器封裝在凹槽部中形成的封閉空間內(nèi)；第一電極在半導體襯底上與主表面相對的主表面上延伸，該第一電極連接至半導體激光器的主電極之一；和在半導體襯底的側(cè)面上延伸的第二電極，該第二電極連接至半導體激光器的主電極中的另一個，熒光材料吸收半導體激光器發(fā)射并且由凹槽部的側(cè)面反射的激光并且發(fā)射具有的波長不同于激光波長的二次光。

依照本發(fā)明的另一個方面，提供了一種用于制造發(fā)光設備的方法，包括：在半導體襯底的主表面中形成凹槽部，該主表面具有第一面取向，該凹槽部具有側(cè)面，且該側(cè)面具有第二面取向；將半導體激光器安裝在凹槽部的底面上；在半導體襯底的主表面上形成表面電極并且將該表面電極連接至半導體激光器；并且將晶體和玻璃中任一種形式的熒光材料粘合到半導體襯底的主表面上以將半導體激光器封裝在凹槽部內(nèi)。

附圖說明

圖1是發(fā)光設備的主要部分的橫截面示意圖；

圖2是用于解釋半導體激光器和熒光材料之間位置關系的主要部分的透視圖；

圖3是發(fā)光設備的主要部分的橫截面示意圖；

圖4是發(fā)光設備的主要部分的橫截面示意圖；

圖5是發(fā)光設備的主要部分的橫截面示意圖；

圖6是發(fā)光設備的主要部分的透視圖；

圖7A至7C是用于解釋制造發(fā)光設備的方法的主要部分視圖；

圖8A和8B是用于解釋制造發(fā)光設備的方法的主要部分視圖；

圖9A和9B是用于解釋制造發(fā)光設備的方法的主要部分視圖；并且

圖10A和10B是用于解釋制造發(fā)光設備的方法的主要部分視圖。

具體實施方式

下文中將參照附圖描述本發(fā)明的實施例。

（第一實施例）

圖1是發(fā)光設備的主要部分的橫截面示意圖。圖2是用于解釋半導體激光器和熒光材料之間位置關系的主要部分的透視圖。

發(fā)光設備1a具有引線10和11的結(jié)構(gòu)，其中引線10和11是電極；桿（襯底）12，它是支撐底座；用于覆蓋元件等的封裝20；和窗口（光退出部分）30，光通過它射出。桿12和封裝20構(gòu)成殼體。該殼體和窗口30形成封閉空間。在發(fā)光設備1a中，半導體激光器40和塊形式的熒光材料50A安裝在桿12上。