[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210532591.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103871815A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅興安
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32;H01L21/02
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法，特別是涉及一種用于改善半導(dǎo)體晶圓上材料沉積及/或濃度的均勻性的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法。

背景技術(shù)

在制造可靠的集成電路時(shí)，一個(gè)重要的要素是均勻地處理半導(dǎo)體晶圓。若在處理步驟中施加至晶圓上的處理不均勻，整個(gè)晶圓上材料的沉積厚度或濃度（例如，硼(Boron)、磷(Phosphorus)、氮(Nitrogen)或其他摻雜物濃度）可能會(huì)產(chǎn)生不同。這些差異可能導(dǎo)致裝置的缺陷或需要額外的處理步驟來(lái)矯正。舉例來(lái)說(shuō)，若沉積不均勻，可能需要進(jìn)行較長(zhǎng)或較侵略性的化學(xué)機(jī)械平坦化(chemical?mechanical?planarization,CMP)步驟。在其他例子中，若指定特定硼、氮、磷、氮或其他摻雜物濃度時(shí)，非均勻的濃度可能使晶圓某些位置無(wú)法運(yùn)作，或成為不良品，導(dǎo)致較低的產(chǎn)量及較高的設(shè)備成本。隨著半導(dǎo)體裝置尺寸的減少、晶圓尺寸的增加及較高產(chǎn)量的需求，這些差異將成為一個(gè)重要的議題，因此期望能改善均勻性。

由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒(méi)有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法,實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法存在的缺陷，而提供一種新的半導(dǎo)體處理裝置及處理半導(dǎo)體晶圓的方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是改善大尺寸晶圓的厚度均勻度，使鍍膜從邊緣至中心位置具有均勻的厚度分布，非常適于實(shí)用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體處理裝置包括一處理室、一基座及一噴頭。基座位于處理室內(nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓。噴頭用以供應(yīng)處理氣體至處理室。噴頭具有多個(gè)可調(diào)節(jié)的出口，用以供應(yīng)一種或多種處理氣體至處理室。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些可調(diào)節(jié)出口可個(gè)別調(diào)節(jié)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些處理氣體可個(gè)別調(diào)節(jié)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該噴頭包括一出口群，該出口群的出口數(shù)少于該噴頭的該些出口的總數(shù)，且該出口群可視為一組同時(shí)調(diào)節(jié)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，還包括多個(gè)閥，連接于一處理供應(yīng)線(xiàn)路及該噴頭的該些出口之間，其中該些閥控制經(jīng)由該些出口至該處理室的該些處理氣體的供應(yīng)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些閥為可變閥，用以控制氣體流量。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些出口包括至少一內(nèi)出口以及位于該內(nèi)出口周?chē)囊煌獬隹凇?!-- SIPO -->

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中當(dāng)該處理氣體通過(guò)該噴頭的該些出口時(shí)，該基座可旋轉(zhuǎn)。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體處理裝置包括一處理室、一基座及一噴頭。基座位于處理室內(nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓。噴頭用以供應(yīng)處理氣體至處理室。當(dāng)氣體通過(guò)噴頭時(shí)，基座可旋轉(zhuǎn)。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該基座能以不同的速度旋轉(zhuǎn)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中還包括一馬達(dá)，該馬達(dá)與該基座連接并用于旋轉(zhuǎn)該基座。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該馬達(dá)為一可變速馬達(dá)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該噴頭包括多個(gè)可個(gè)別調(diào)節(jié)的出口，該些出口供應(yīng)一種或多種該處理氣體至該處理室。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些出口包括至少一內(nèi)出口以及位于該內(nèi)出口周?chē)囊煌獬隹凇?/p>

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外再采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體處理裝置包括一處理室、一基座及一噴頭。基座位于處理室內(nèi)并用以承載一半導(dǎo)體晶圓。噴頭用以供應(yīng)處理氣體至處理室。噴頭具有多個(gè)可調(diào)節(jié)的出口，用以供應(yīng)一個(gè)或多個(gè)處理氣體至處理室。當(dāng)氣體通過(guò)噴頭的出口時(shí)，基座可旋轉(zhuǎn)。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些可調(diào)節(jié)的出口可個(gè)別調(diào)節(jié)。

前述的半導(dǎo)體處理裝置，其中該些出口包括至少二個(gè)出口，設(shè)置為一內(nèi)出口及位于該內(nèi)出口周?chē)囊煌獬隹凇?/p>