[發明專利]半導體處理裝置及處理半導體晶圓的方法

無效

• 申請號: 201210532591.8
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103871815A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 羅興安
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體處理裝置，其特征在于其包括：

一處理室；

一基座，位于該處理室內并用以承載一半導體晶圓；以及

一噴頭，用以供應一處理氣體至該處理室，該噴頭具有多個可調節出口，用以供應一種或多種處理氣體至該處理室。

2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該些可調節出口可個別調節。

3.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該些處理氣體可個別調節。

4.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該噴頭包括一出口群，該出口群的出口數少于該噴頭的該些出口的總數，且該出口群可視為一組同時調節。

5.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于其還包括多個閥，連接于一處理供應線路及該噴頭的該些出口之間，其中該些閥控制經由該些出口至該處理室的該些處理氣體的供應。

6.根據權利要求5所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該些閥為可變閥，用以控制氣體流量。

7.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該些出口包括至少一內出口以及位于該內出口周圍的一外出口。

8.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于其中當該處理氣體通過該噴頭的該些出口時，該基座可旋轉。

9.一種半導體處理裝置，其特征在于其包括：

一處理室；

一基座，位于該處理室內并用以承載一半導體晶圓；以及

一噴頭，用以供應一處理氣體至該處理室，其中當該處理氣體通過該噴頭時，該基座可旋轉。

10.根據權利要求9所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該基座能以不同的速度旋轉。

11.根據權利要求9所述的半導體處理裝置，其特征在于其還包括一馬達，該馬達與該基座連接并用于旋轉該基座。

12.根據權利要求11所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該馬達為一可變速馬達。

13.根據權利要求9所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該噴頭包括多個可個別調節的出口，該些出口供應一種或多種該處理氣體至該處理室。

14.根據權利要求13所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該些出口包括至少一內出口以及位于該內出口周圍的一外出口。

15.一種半導體處理裝置，其特征在于其包括：

一處理室；

一基座，位于該處理室內并用以承載一半導體晶圓；以及

一噴頭，用以供應一處理氣體至該處理室，該噴頭具有多個可調節的出口，該些出口供應一種或多種該處理氣體至該處理室，其中當該處理氣體通過該噴頭的該些出口時，該基座可旋轉。

16.根據權利要求15所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該些可調節的出口可個別調節。

17.根據權利要求15所述的半導體處理裝置，其特征在于其中該些出口包括至少二個出口，設置為一內出口及位于該內出口周圍的一外出口。

18.根據權利要求15所述的半導體處理裝置，其特征在于其還包括：

多個可變閥，連接于一處理供應線路及該噴頭的該些出口之間，其中該些可變閥調節處理氣體經由該些出口至該處理室的總量，該基座能以不同的速度旋轉。

19.一種處理半導體晶圓的方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一半導體晶圓于一基座上；

供應一處理氣體至該半導體晶圓，以實施一處理步驟；以及

調節該處理氣體至該半導體晶圓的供應，以改善該處理步驟的均勻性。

20.根據權利要求19所述的處理半導體晶圓的方法，其特征在于其中調節步驟包括當該處理氣體供應至該半導體晶圓時，旋轉該基座。

21.根據權利要求19所述的處理半導體晶圓的方法，其特征在于其中供應該處理氣體的步驟包括通過一噴頭供應該處理氣體，該噴頭包括多個可調節的出口，用以供應該處理氣體。

22.根據權利要求21所述的處理半導體晶圓的方法，其特征在于其中調節步驟包括調節該噴頭的該些出口。

23.根據權利要求21所述的處理半導體晶圓的方法，其特征在于其中該些出口包括至少一內出口及位于該內出口周圍的一外出口。