[發明專利]一種需要背鍍金屬的LED芯片的分裂方法

無效

• 申請號: 201210531347.X
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103872187A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 朱振明
• 申請（專利權）人: 煙臺史密得機電設備制造有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種需要背鍍金屬的LED芯片的分裂方法，屬于LED生產領域。

背景技術

????隨著LED技術的發展，人們對LED芯片的亮度要求也越來越高，目前常用的提供大尺寸LED芯片亮度的方法是將LED芯片的背面背鍍一層金屬，通過增加反射，從而提高芯片的亮度。芯片的生產過程中，需要一個將芯片分解的過程，以往的工藝，是減薄完后，先將芯片背面背鍍上金屬，然后再進行劃片裂片工藝，但是由于背鍍金屬不透明，因此增加了劃片校準時的難度，往往會出現劃至管芯上，從而降低了芯片的良率，增加了生產成本。

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發明內容

本發明針對現有技術存在的不足，提供一種需要背鍍金屬的LED芯片的分裂方法。????

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種需要背鍍金屬的LED芯片的分裂方法，其方法步驟為：

（1）?????????????將減薄完后未背鍍金屬的LED芯片，電極一面朝上放置在貼膜機上，用不干膠膜貼至鐵環上；

（2）?????????????將防劃保護鋁片放置在貼完后的芯片上，使芯片位于防劃保護鋁片的正中央；

（3）?????????????將放置防劃保護鋁片的芯片連同鐵環，放置劃片機的工作平臺上；

（4）?????????????打開劃片機，將芯片的背面沿著芯片電極的切割道劃出一道道溝槽；

（5）?????????????取出劃完后的芯片，將芯片上的不干膠膜撕下；

（6）?????????????將芯片傳至蒸鍍機上，對芯片進行蒸鍍背鍍金屬；

（7）?????????????將背鍍完后的芯片，背面朝上，貼到鐵環上；

（8）?????????????將貼完膜的芯片放置裂片機上，對其裂片。

進一步的，所述劃片后的溝槽深度為芯片厚度的1/6-1/4。

本發明的有益效果是：本發明方法通過在背鍍金屬之前將芯片用激光劃出溝槽，能夠方便校準芯片，從而保證了芯片上溝槽的精確度，保證了裂片質量，且劃片后對芯片背鍍金屬，能夠有效增加背鍍金屬的有效性，增加了芯片的發光亮度。

具體實施方式

以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

一種需要背鍍金屬的LED芯片的分裂方法，其方法步驟為：

（1）?????????????將減薄完后未背鍍金屬的LED芯片，電極一面朝上放置在貼膜機上，用不干膠膜貼至鐵環上；

（2）?????????????將防劃保護鋁片放置在貼完后的芯片上，使芯片位于防劃保護鋁片的正中央；

（3）?????????????將放置防劃保護鋁片的芯片連同鐵環，放置劃片機的工作平臺上；

（4）?????????????打開劃片機，將芯片的背面沿著芯片電極的切割道劃出一道道溝槽；

（5）?????????????取出劃完后的芯片，將芯片上的不干膠膜撕下；

（6）?????????????將芯片傳至蒸鍍機上，對芯片進行蒸鍍背鍍金屬；

（7）?????????????將背鍍完后的芯片，背面朝上，貼到鐵環上；

（8）?????????????將貼完膜的芯片放置裂片機上，對其裂片。

所述劃片后的溝槽深度為芯片厚度的1/6-1/4

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。