[發明專利]缺陷檢查方法有效
| 申請號: | 201210530492.6 | 申請日: | 2012-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN103311146A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 土屋范晃 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張天舒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 缺陷 檢查 方法 | ||
技術領域
本發明涉及檢查半導體晶片的缺陷的缺陷檢查方法。
背景技術
在半導體晶片工藝中的半導體晶片(以下還簡稱“晶片”)的質量管理、成品的管理/改善方法中,必須在半導體晶片工藝所包含的主要或重要的工序中實施晶片的缺陷檢查,特定該晶片中的異物、缺陷,管理其轉移情況,檢出有問題的工藝,迅速地進行反饋等。
在晶片上存在著制作器件(將晶片單片化的芯片)時有可能影響其特性的缺陷,諸如在使用許多半導體制造裝置、經過多個工序后形成的半導體晶片工藝中,凈化車間內或各工藝使用的裝置內的異物,或實施許多處理后在晶片上形成的傷痕,以及在晶片上形成圖案時形成的圖案不良等。這種缺陷成為成品率下降的主要原因。
另外,在基板缺陷較多的低品質晶片(例如碳化硅晶片(以下還稱作“SiC晶片”)、氮化鎵晶片(以下還稱作“GaN晶片”))的半導體晶片工藝的缺陷檢查中,出現漏檢的缺陷即未能檢出、消除所有的缺陷的可能性較大。因此,存在著使后道工序中的測試工序、可靠性工序的工作量(各工序所要求的條件)高達必要值以上、效率非常低的問題。這樣,在半導體晶片工藝中使用SiC晶片、GaN晶片等晶片本身也存在很多缺陷的低品質晶片后,晶片本身的缺陷有可能影響器件的特性,成為成品率下降的主要原因。
另外,不能夠在電氣特性試驗中挑出存在著有可能影響器件特性的缺陷的晶片(器件),在以后的可靠性試驗中才能夠挑出不良品時,就在經過許多工藝后形成的不良的器件上白白地花費時間及精力,使電氣特性評價等檢查工序的效率低下。
以往的技術是檢查有無在晶片上形成的缺陷,在檢出了缺陷的部位做出標記,從而判斷器件的好壞(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開昭63-222438號公報。
為了提高半導體晶片工藝的成品率,需要高精度地檢出影響器件特性的那種晶片及各工藝中的缺陷,根據檢出結果早早地將其剔除,或者通過對于產生了缺陷的工藝進行的反饋控制來減少缺陷。因此,期待著能夠以芯片為單位將通過缺陷檢查而獲得的缺陷信息作為電子數據掌握。
在專利文獻1中,沒有將通過缺陷檢查而獲得的結果作為電子數據看待。另外,沒有進行上述對于低品質晶片本身而言的缺陷檢查,晶片本身的缺陷有可能影響器件的特性,成為成品率下降的主要原因。
發明內容
本發明考慮上述問題而構思,其目的在于提供能以芯片單位掌握缺陷信息,即使是基板缺陷較多的低品質晶片也能夠早早地檢出缺陷,提高半導體晶片工藝的成品率的缺陷檢查方法。
為了解決上述課題,依據本發明的缺陷檢查方法,是檢查半導體晶片的缺陷的缺陷檢查方法,具備:(a)在檢查對象的半導體晶片上,對于半導體晶片上的既定的芯片,形成與由該半導體晶片生成的芯片的尺寸對應的標記的工序;以及(b)在半導體晶片工藝的既定的工藝中,或者在半導體晶片工藝之前,進行半導體晶片的缺陷檢查,將標記作為基準,識別缺陷信息的工序。
依據本發明,因為具備(a)在檢查對象的半導體晶片上,對于半導體晶片上的既定的芯片,形成與由該半導體晶片生成的芯片的尺寸對應的標記的工序;以及(b)在半導體晶片工藝的既定的工藝中,或者在半導體晶片工藝之前,進行半導體晶片的缺陷檢查,將標記作為基準,識別缺陷信息的工序,所以能以芯片單位掌握缺陷信息,即使是基板缺陷較多的低品質晶片也能夠早早地檢出缺陷,提高半導體晶片工藝的成品率。
例如依據本發明,在晶片工藝的各主要(任意)工序中實施缺陷檢查(包含工藝前的晶片檢查)后,能夠檢出各工藝中產生的異物、圖案缺陷等,還能夠在經過各工序的工序間取得該缺陷的差分。這樣,在基板缺陷較多的低品質晶片中,也能夠在進行測試工序之前的階段通過缺陷檢查早早地檢出、消除可以視為致命缺陷的器件芯片,提高以后的測試工序及可靠性評價的效率,確立包含晶片工藝、器件電氣特性評價、可靠性評價在內的整個器件制造中的有效率的工藝管理、消除、評價。
附圖說明
圖1是表示實施本發明的實施方式1涉及的半導體晶片工藝中的缺陷檢查的一個例子的圖;
圖2是表示本發明的實施方式1涉及的半導體晶片中的缺陷檢查結果的映像的一個例子的圖;
圖3是表示在本發明的實施方式1涉及的半導體晶片上形成的標記的一個例子的圖;
圖4是表示本發明的實施方式1涉及的進行多個缺陷檢查時的缺陷檢查結果的映像的一個例子的圖。
具體實施方式
下面,參照附圖,講述本發明的實施方式。
(實施方式1)
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





