[發明專利]缺陷檢查方法

有效

• 申請號: 201210530492.6
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103311146A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 土屋范晃
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/88
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種缺陷檢查方法，是檢查半導體晶片（1）的缺陷的缺陷檢查方法，具備：

（a）在檢查對象的半導體晶片（1）上，對于所述半導體晶片（1）上的既定的芯片（2），形成與由該半導體晶片（1）生成的芯片（2）的尺寸對應的標記（4）的工序；以及

（b）在半導體晶片工藝的既定的工藝中，或者在所述半導體晶片工藝之前，進行所述半導體晶片（1）的缺陷檢查，將所述標記（4）作為基準，識別缺陷信息的工序。

2.如權利要求1所述的缺陷檢查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，以芯片單位識別所述缺陷信息。

3.如權利要求1或2所述的缺陷檢查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，在所述半導體晶片工藝的多個工藝中進行所述缺陷檢查。

4.如權利要求1或2所述的缺陷檢查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，使用微分干涉方式進行所述缺陷檢查。

5.如權利要求1或2所述的缺陷檢查方法，其特征在于：所述半導體晶片（1）是SiC晶片或GaN晶片。