[發明專利]以葉片為外植體的甜葉菊組織培養方法及其專用培養基

在審

• 申請號: 201210530224.4
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103858757A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 肖玲;葉紹云;蔡南海;許駿
• 申請（專利權）人: 豐益(上海）生物技術研發中心有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;任鳳華

1.甜葉菊的組織培養方法，包括將甜葉菊的離體葉片接入愈傷組織誘導與分化培養基中進行培養得到甜葉菊再生芽的步驟；所述愈傷組織誘導與分化培養基是在植物組織培養基本培養基中添加植物生長物質、碳源和凝膠劑制成的固體培養基；所述植物生長物質含有NAA和TDZ。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述植物生長物質為NAA和TDZ；所述愈傷組織誘導與分化培養基中，NAA的濃度為0.1mg/L-0.2mg/L，TDZ的濃度為1.0mg/L-3.0mg/L。

3.甜葉菊的組織培養方法，包括將甜葉菊的離體葉片接入愈傷組織誘導與分化培養基中進行培養得到甜葉菊再生芽的步驟；所述愈傷組織誘導與分化培養基是在植物組織培養基本培養基中添加植物生長物質、碳源和凝膠劑制成的固體培養基；所述植物生長物質含有NAA和6-BA。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述愈傷組織誘導與分化培養基為A、B、C或D；

A、所述愈傷組織誘導與分化培養基中，所述NAA的濃度為0.1mg/L-0.2mg/L，6-BA的濃度為1.0mg/L-3.0mg/L；

B、所述植物生長物質含有NAA、6-BA和KT；具體地，所述NAA的濃度為0.1mg/L-0.2mg/L，6-BA的濃度為1.0mg/L-3.0mg/L，KT的濃度為1.0mg/L-2.0mg/L；

C、所述植物生長物質為NAA和6-BA；所述愈傷組織誘導與分化培養基中，NAA的濃度為0.1mg/L-0.2mg/L，6-BA的濃度為1.0mg/L-4.0mg/L；

D、所述植物生長物質為NAA、6-BA和KT；所述愈傷組織誘導與分化培養基中，NAA的濃度為0.1mg/L-0.2mg/L，6-BA的濃度為1.0mg/L-3.0mg/L，KT的濃度為1.0mg/L-2.0mg/L。

5.根據權利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述培養為先進行黑暗培養再進行正常光照培養。

6.甜葉菊的組織培養方法，包括將甜葉菊的離體葉片接入愈傷組織誘導與分化培養基中進行培養得到甜葉菊再生芽的步驟；所述愈傷組織誘導與分化培養基是在植物組織培養基本培養基中添加植物生長物質、碳源和凝膠劑制成的固體培養基；所述培養為先進行黑暗培養再進行正常光照培養。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其特征在于：所述黑暗培養的時間為1-6天、4-6天、4天或6天。

8.根據權利要求5-7中任一所述的方法，其特征在于：所述正常光照為每天12-14小時光照其余時間黑暗。

9.根據權利要求5-8中任一所述的方法，其特征在于：所述正常光照的光照強度為2000-3000lux。

10.根據權利要求5-9中任一所述的方法，其特征在于：所述黑暗培養和所述正常光照培養在22-25℃下進行。

11.根據權利要求1至10中任一所述的方法，其特征在于：所述方法還包括對所述甜葉菊再生芽進行繼代培養和/或對所述甜葉菊再生芽進行生根培養的步驟。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于：所述繼代培養采用的繼代培養基是在所述植物組織培養基本培養基中添加NAA、6-BA、碳源和凝膠劑制成的固體培養基；具體地，所述繼代培養基中，NAA的濃度為0.1mg/L-0.2mg/L，6-BA的濃度為0.2mg/L-1.0mg/L；

和/或，

所述生根培養采用的生根培養基是在所述植物組織培養基本培養基中添加NAA、碳源和凝膠劑制成的固體培養基；具體地，NAA在所述生根培養基中的濃度為0.1mg/L-0.4mg/L。

13.根據權利要求1-12中任一所述的方法，其特征在于：所有所述凝膠劑是瓊脂、卡拉膠或固化劑（Gelrite）；具體地，所述瓊脂在所有所述培養基中的濃度為7-11g/L；

和/或，

所述碳源是蔗糖、葡萄糖和/或麥芽糖；具體地所述蔗糖在所述培養基中的濃度為15-30g/L。