[發明專利]一種IGBT及其制作方法

無效

• 申請號: 201210530076.6
• 申請日: 2012-12-10
• 公開（公告）號: CN103872111A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 談景飛;朱陽軍;胡愛斌;張文亮;王波
• 申請（專利權）人: 上海聯星電子有限公司;中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種IGBT，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底上表面的柵極結構；

位于所述半導體襯底上表面內的阱區、源區和淺阱區，其中，所述阱區內設置有源區，所述阱區、源區以及淺阱區的上表面與所述半導體襯底的上表面齊平，所述阱區和所述淺阱區不接觸且摻雜類型相同；

位于所述阱區、淺阱區和源區表面上的源極；

位于所述半導體下表面的背面結構，所述背面結構包括集電區。

2.根據權利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述柵極結構包括：第一子柵極以及第二子柵極，所述第一子柵極以及第二子柵極存在間隙。

3.根據權利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述淺阱區的長度為0.5μm-2μm。

4.根據權利要求3所述的IGBT，其特征在于，所述淺阱區深度為0.5μm-1.5μm。

5.根據權利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述背面結構還包括：

位于所述集電區下表面的集電極。

6.根據權利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述背面還包括：位于所述集電區上表面的緩沖層，所述緩沖層的摻雜類型與所述半導體襯底的摻雜類型相同，且所述緩沖層的摻雜濃度大于所述半導體襯底的摻雜濃度。

7.一種IGBT的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底上表面形成柵極結構；

在所述半導體襯底上表面內形成阱區、源區和淺阱區，其中，所述源區位于所述阱區表面內，所述阱區、源區以及淺阱區的上表面與所述半導體襯底的上表面齊平，所述阱區和所述淺阱區不接觸且摻雜類型相同；

在所述阱區、淺阱區和源區表面形成源極；

在所述半導體下表面形成背面結構，所述背面結構包括集電區。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述淺阱區形成過程包括：

對所述半導體襯底進行離子注入，形成摻雜區；

經過退火，使所述摻雜區內的雜質離子擴散，形成設定寬度及深度的淺阱區。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述離子注入的注入劑量為1.0×10¹²cm^-2-1.0×10¹³cm^-2。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述離子注入的注入能量大于零，且小于40keV。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，退火溫度為800℃-1000℃。