[發(fā)明專利]高擊穿電壓的雙柵極半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210529769.3
• 申請(qǐng)日: 2008-02-13
• 公開（公告）號(hào): CN102983169A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·A·馬斯利阿;A·G·布拉卡爾;F·C·休恩;P·J·巴勞爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ACCO半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L27/085;H01L21/336
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種器件，包括：

襯底；

形成在所述襯底內(nèi)的源區(qū)域；

第一柵極，包括

介電層，設(shè)置在所述襯底上并且在所述襯底內(nèi)形成的、毗鄰所述源區(qū)域的溝道區(qū)域上方，以及

導(dǎo)電柵極層，設(shè)置在所述介電層上；

阱區(qū)域，形成在所述襯底內(nèi)并且包括：

漏區(qū)域，形成在所述阱區(qū)域內(nèi)，以及

第二柵極，形成在所述阱區(qū)域內(nèi)、所述漏區(qū)域和所述第一柵極之間；以及

導(dǎo)電路徑，在所述溝道區(qū)域和所述阱區(qū)域之間，所述導(dǎo)電路徑包括所述阱內(nèi)的第一摻雜區(qū)域、所述阱外并且毗鄰所述溝道的第二摻雜區(qū)域、以及設(shè)置在所述襯底上且與所述第一摻雜區(qū)域和所述第二摻雜區(qū)域接觸的導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述襯底包括P摻雜、所述源區(qū)域和所述漏區(qū)域均包括N摻雜、所述阱包括N摻雜、并且所述第二柵極包括P摻雜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述導(dǎo)電層包括多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述導(dǎo)電層包括金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括耦合在所述第一柵極和所述第二柵極之間并且配置成根據(jù)施加至所述第一柵極的偏壓偏置所述第二柵極的控制電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中所述控制電路包括電容器。

7.一種器件，包括：

襯底；

形成在所述襯底內(nèi)的源區(qū)域；

第一柵極，包括：

介電層，設(shè)置在所述襯底上并且在所述襯底內(nèi)形成的、毗鄰所述源區(qū)域的溝道區(qū)域上方，以及

導(dǎo)電柵極層，設(shè)置在所述介電層上；

阱區(qū)域，形成在所述襯底內(nèi)并且包括：

漏區(qū)域，形成在所述阱區(qū)域內(nèi)，以及

第二柵極，形成在所述阱區(qū)域內(nèi)、所述漏區(qū)域和所述第一柵極之間；以及

導(dǎo)電路徑，在所述溝道區(qū)域和所述阱區(qū)域之間，以及

控制電路，可操作地連接在所述第一柵極和所述第二柵極之間并且配置成將來自所述第一柵極的RF信號(hào)耦合到所述第二柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述控制電路包括電容器。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述導(dǎo)電路徑包括所述阱內(nèi)、毗鄰第二摻雜區(qū)域的第一摻雜區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)域在所述阱外且毗鄰所述溝道。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述導(dǎo)電路徑包括所述阱內(nèi)毗鄰所述溝道的第一摻雜區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述導(dǎo)電路徑包括毗鄰所述溝道的所述阱。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述襯底包括P摻雜、所述源區(qū)域和所述漏區(qū)域均包括N摻雜、所述阱包括N摻雜、并且所述第二柵極包括P摻雜。

13.一種方法，包括：

用第一摻雜物在襯底內(nèi)形成阱區(qū)域；

用第二摻雜物在所述襯底內(nèi)、所述阱外形成源區(qū)域；并且用第二摻雜物在所述襯底內(nèi)和所述阱區(qū)域內(nèi)形成漏區(qū)域；

用第三摻雜物在所述襯底內(nèi)并且在所述阱區(qū)域內(nèi)形成第一柵極區(qū)域；

在所述襯底上所述源區(qū)域和所述阱區(qū)域之間形成介電層；

用所述第二摻雜物在所述襯底內(nèi)并且在所述介電層和所述第一柵極區(qū)域之間形成第一摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域也在所述阱區(qū)域內(nèi)；

用所述第二摻雜物在所述襯底內(nèi)、所述阱區(qū)域外并且在所述介電層和所述第一摻雜區(qū)域之間形成第二摻雜區(qū)域；

在所述介電層上形成第一導(dǎo)電層；以及

在所述襯底上形成第二導(dǎo)電層并且接觸所述第一摻雜區(qū)域和所述第二摻雜區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一摻雜物和所述第二摻雜物相同。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括：形成耦合在所述第一導(dǎo)電層和所述第一柵極區(qū)域之間的控制電路，并且所述控制電路配置成根據(jù)施加至所述第一導(dǎo)電層的偏壓來偏置所述第一柵極區(qū)域。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述控制電路包括形成電容器。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述電容器包括形成多個(gè)堆疊的金屬層。