[發明專利]用于制造半導體發光元件的方法

無效

• 申請號: 201210525705.6
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103165778A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 佐藤泰輔;財滿康太郎;田島純平;杉山直治;布上真也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文;王英

1.一種用于制造半導體發光元件的方法，包括：

將堆疊主體接合到襯底主體，所述堆疊主體包括在結構體中，所述結構體還包括生長襯底，所述堆疊主體設置在所述生長襯底上，所述堆疊主體包括第一導電類型的第一氮化物半導體膜、設置在所述第一氮化物半導體膜上的發光膜和設置在所述發光膜上的第二導電類型的第二氮化物半導體膜，拉伸應力被施加到所述堆疊主體；

去除所述生長襯底；

通過去除所述堆疊主體的一部分將所述堆疊主體劃分成多個區域而形成多個堆疊體，所述堆疊體包括由所述第一氮化物半導體膜形成的第一氮化物半導體層、由所述第二氮化物半導體膜形成的第二氮化物半導體層和由所述發光膜形成的發光層；

對于每個所述堆疊體，在所述第一氮化物半導體層的與所述發光層相對的側上的表面中形成凹凸部；以及

對于每個所述堆疊體，通過劃分所述襯底主體來形成多個所述半導體發光元件，每個所述半導體發光元件均包括所述堆疊體和由所劃分的襯底主體形成的支撐襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括通過以下步驟形成所述結構體：

在所述生長襯底上形成所述第一氮化物半導體膜；

在所述第一氮化物半導體膜上形成所述發光膜；以及

在所述發光膜上形成所述第二氮化物半導體膜。

3.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述形成所述結構體還包括：在所述生長襯底與所述第一氮化物半導體膜之間形成緩沖層，當去除所述生長襯底時，所述緩沖層用作停止物；并且

所述去除所述生長襯底還包括去除所述緩沖層。

4.根據權利要求3所述的方法，其中：

所述形成所述第一氮化物半導體膜還包括：在所述緩沖層上形成第一層并且在所述第一層上形成第二層，所述第二層的雜質濃度高于所述第一層的雜質濃度；并且

所述去除所述生長襯底還包括去除所述第一層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述生長襯底是Si襯底。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述第一氮化物半導體層的與所述發光層相對的所述側上的所述表面上形成第一電極，所述第一電極電連接至所述第一氮化物半導體層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述形成所述第一電極包括在所述第一氮化物半導體層的與所述發光層相對的所述側上的所述表面中制作凹部，并且在所述凹部內形成所述第一電極。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：在將所述結構體的主表面接合到所述襯底主體之前，在所述第二氮化物半導體膜上形成蝕刻停止膜，

通過劃分所述堆疊主體形成所述堆疊體包括：通過從所述第一氮化物半導體膜側至所述蝕刻停止膜蝕刻所述堆疊主體來劃分所述堆疊主體。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

通過在將所述結構體的所述主表面接合到所述襯底主體之前去除所述蝕刻停止膜的一部分來暴露出所述第二氮化物半導體膜的一部分；以及

在所述第二氮化物半導體膜的所述一部分上形成第二電極，所述第二電極電連接至所述第二氮化物半導體膜。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第二電極沿所述堆疊主體的堆疊方向的厚度與所述蝕刻停止膜沿所述堆疊方向的厚度相同。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述蝕刻停止膜是選自Si、Al、Ti、Zr、In、Sn和Ni中的至少一種的氧化物膜，所述至少一種的氮化物膜，或者所述至少一種的氧氮化物膜。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，所述蝕刻停止膜是包括選自由Ni、Pt、W、Au、Ti和Al組成的組中的至少一種元素的金屬。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述蝕刻所述堆疊主體是包括選自氯、氬、氟和硼中的一種元素的干法蝕刻。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述結構體接合到所述襯底主體包括：在所述堆疊主體上形成的第一接合膜，在所述襯底主體上形成第二接合膜，并且將所述第一接合膜接合到所述第二接合膜。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，所述去除所述生長襯底包括：對所述生長襯底進行拋光以使得所述生長襯底的厚度不小于5μm且不大于50μm。