[發明專利]用于制造半導體發光元件的方法

無效

• 申請號: 201210525705.6
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103165778A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 佐藤泰輔;財滿康太郎;田島純平;杉山直治;布上真也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文;王英

相關申請的交叉引用

本申請基于并要求于2011年12月9日提交的在先日本專利申請No.2011-270709的優先權權益；其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本文所描述的實施例大體上涉及用于制造半導體發光元件的方法。

背景技術

諸如發光二極管等半導體發光元件被廣泛應用。期望提高用于制造半導體發光元件的方法的產量。

附圖說明

圖1是示出根據實施例的半導體發光元件的配置的示意性截面圖；

圖2是示出根據該實施例的發光單元的配置的示意性截面圖；

圖3A至圖3D是示出根據該實施例的用于制造半導體發光元件的方法的示意性截面圖；

圖4A至圖4D是示出根據該實施例的用于制造半導體發光元件的方法的示意性截面圖；

圖5A至圖5D是示出根據該實施例的用于制造半導體發光元件的方法的示意性截面圖；

圖6A至圖6D是示出根據該實施例的用于制造半導體發光元件的方法的示意性截面圖；

圖7是示出根據該實施例的緩沖層的配置的示意性截面圖；

圖8是示出根據該實施例的第一氮化物半導體膜的配置的示意性截面圖；

圖9是示出根據該實施例的用于制造半導體發光元件的方法的流程圖；

圖10是參考示例的半導體發光元件的光學顯微鏡圖像；以及

圖11是由根據該實施例的制造方法所制造的半導體發光元件的光學顯微鏡圖像。

具體實施方式

根據一個實施例，公開了一種用于制造半導體發光元件的方法。所述方法可以包括將堆疊主體接合到襯底主體。所述堆疊主體包括在結構體中。所述結構體還包括生長襯底。所述堆疊主體設置在所述生長襯底上。所述堆疊主體包括第一導電類型的第一氮化物半導體膜、設置在所述第一氮化物半導體膜上的發光膜和設置在所述發光膜上的第二導電類型的第二氮化物半導體膜。拉伸應力被施加到所述堆疊主體。所述方法可以包括去除所述生長襯底。所述方法可以包括通過去除所述堆疊主體的一部分將所述堆疊主體劃分成多個區域而形成多個堆疊體。所述堆疊體包括由所述第一氮化物半導體膜形成的第一氮化物半導體層、由所述第二氮化物半導體膜形成的第二氮化物半導體層和由所述發光膜形成的發光層。所述方法可以包括對于每個所述堆疊體在所述第一氮化物半導體層的與所述發光層相對的側上的表面中形成凹凸部。所述方法可以包括通過對每個所述堆疊體劃分所述襯底主體來形成多個所述半導體發光元件。每個所述半導體發光元件均包括所述堆疊體和由所劃分的襯底主體形成的支撐襯底。

以下將參照附圖描述各個實施例。

附圖是示意性或概念性的；各部分厚度與寬度的之間的關系、各部分之間的尺寸的比例等不一定與其實際值相同。另外，即使是對于相同的部分，尺寸和/或比例在各個附圖之間也可以不同地示出。

在本申請的附圖和說明書中，與參照以上附圖所描述的那些部件類似的部件用相似的附圖標記標示，并且視情況而定省略了詳細描述。

圖1是示出根據實施例的半導體發光元件的配置的示意性截面圖。

如圖1中所示，根據本實施例的半導體發光元件110包括堆疊體4和支撐襯底5。

堆疊體4包括第一氮化物半導體層10、第二氮化物半導體層12和發光層14。例如，第一氮化物半導體層10、第二氮化物半導體層12和發光層14形成在除了支撐襯底5以外的襯底上。例如，在將堆疊體4形成在其它襯底上之后將其接合至支撐襯底5。

第一氮化物半導體層10具有第一導電類型。第二氮化物半導體層12具有第二導電類型。第二導電類型不同于第一導電類型。例如，第一導電類型是n型；而第二導電類型是p型。但實施例并不限于此。第一導電類型可以是p型；而第二導電類型可以是n型。在下文中，所描述的情況是第一導電類型是n型且第二導電類型是p型的情況。

例如，第一氮化物半導體層10可以包括n型GaN層。例如，第二氮化物半導體層12可以包括p型GaN層。

凹凸部20設置在第一氮化物半導體層10的與發光層14相對的側上的表面10a中。凹凸部20在第一氮化物半導體層10的表面10a處抑制由發光層14發出的光的全內反射。由此，提高了光提取效率。

發光層14設置在第一氮化物半導體層10與第二氮化物半導體層12之間。發光層14的一個表面接觸第一氮化物半導體層10。發光層14的另一表面接觸第二氮化物半導體層12。例如，發光層14可以包括InAlGaN和InGaN的堆疊膜。