[發明專利]半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 201210524717.7
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103165532A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 片岡一郎;五十嵐一也
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L51/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李穎

技術領域

本發明涉及半導體元件的制造方法，更特別地，涉及通過接合硅基板與玻璃基板形成的半導體元件的制造方法。

背景技術

當前，作為安裝于諸如顯示器的顯示裝置上的顯示元件，反射液晶顯示元件（LCOS）和有機發光元件（有機電致發光（EL）元件）等得到積極研究和開發。當制作LCOS或有機發光元件時，存在這樣的情況：其中，包括通過使用樹脂作為粘接劑將上面設置有元件的基板（例如，硅基板）與諸如玻璃基板的密封基板接合在一起的步驟，即密封步驟。

在LCOS的情況下，在上述的密封步驟中，不僅硅基板和玻璃基板被接合在一起，而且硅基板與玻璃基板之間的空間被液晶材料填充。特別地，通過使用設置在基板中的每一個的周邊部分處的樹脂密封材料將硅基板與玻璃基板接合在一起，并且，兩個基板之間以及樹脂密封材料內部的空間被液晶材料填充。在有機EL元件的情況下，為了針對外部空氣阻擋有機EL元件的目的，實施上述的密封步驟。特別地，硅基板（基板）和玻璃基板（密封基板）通過使用填充樹脂被接合在一起以至少覆蓋發光區域的整個表面，并且，有機發光元件被硅基板、玻璃基板和填充樹脂包圍，以針對大氣中的氧氣和水分保護有機發光元件。

順便說一句，當制造半導體元件時，從生產效率的觀點來看，使用上面布置了多個半導體元件的主板（mother?board）。當使用這種主板制造半導體元件時，具體地通過以下的步驟（a）～（c）制造半導體元件：（a）在主板上制造多個半導體元件的步驟；（b）通過使用樹脂將主板和具有與主板基本上相同的尺寸的玻璃基板（密封基板）接合在一起并集成、由此密封設置在主板上的所有半導體元件的步驟；和（c）通過切割（cut）主板和玻璃基板逐個分離半導體元件的步驟。

順便說一句，作為分割（divide）通過用樹脂將作為主板的硅基板和作為密封基板的玻璃基板接合在一起形成的結構的方法，例如，存在已知的通過切片（dice）而集體切割硅基板、玻璃基板和樹脂的方法。

在這種情況下，當通過切片而同時切割硅基板、玻璃基板和樹脂時，由于使用的切片刀（blade）撞擊樹脂，因此出現堵塞（clogging）。該堵塞顯著降低切片質量（特別地，增加碎屑）。因此，為了將切片質量維持在一定水平，必須增大切片刀的更換頻率。此外，一般地，可切割硅和玻璃兩者的切片刀的厚度比僅用于硅的切片刀的厚度大。因此，硅基板上的切割硅基板所需的區域（切割通道（street））變大，這導致從一個主板上取得的半導體元件的數量減少。

此外，當在硅基板與玻璃基板之間不存在樹脂的部分處實施切片時，可能出現以下這樣的問題：即，在切片中使用的切割水與顆粒一起進入而與顆粒一起污染設置在硅基板上的元件。

作為解決當切割基板時出現的上述問題的方法，日本專利申請公開No.2008-164980提出以下方法：其中，當硅基板和玻璃基板在其間具有樹脂的部分處被切割時，改變切割方法。具體而言，提出這樣一種方法：其中，當玻璃基板和樹脂通過切片被完全切割時，通過切片來半切割硅基板。

但是，即使在日本專利申請公開No.2008-164980中提出的方法仍然通過切片來切割樹脂自身，并且，與常規技術的情況類似，上述的切片質量的降低是不可避免的。此外，為了通過切片來完全切割玻璃基板和樹脂，需要在一定程度上對硅基板與樹脂的界面進行切片，并且，需要使用上述的可切割硅和玻璃兩者的切片刀。此外，當切割部分的一部分不在其中包含樹脂時，切割水進入其中不包含樹脂的該切割部分。

發明內容

鑒于上述的問題，提出了本發明。本發明的一個目的是，提供具有質量優異的切割部分的半導體元件的制造方法，該方法使得切割所需的硅基板上的區域最小化，并且該方法防止在實施通過切片進行的切割時所用的切割水進入半導體元件。

根據本發明的示例性實施例，提供一種半導體元件的制造方法，該半導體元件包含：硅基板；被設置在硅基板上的半導體元件部分；和用于密封半導體元件部分的密封部件，所述密封部件包含被設置為與硅基板的其上設置了半導體元件部分的表面相對的玻璃基板和用于接合硅基板與玻璃基板的樹脂，所述方法包括：在硅基板上布置多個半導體元件部分以使其彼此相鄰；使用樹脂將硅基板與玻璃基板接合在一起；以及在設置了樹脂的區域中分別切割硅基板和玻璃基板，切割硅基板和玻璃基板包含：通過切片半切割硅基板；通過刻劃（scribing）切割玻璃基板；以及在實施切片和刻劃之后分割硅基板、玻璃基板和樹脂，其中，半切割硅基板中的半切割的剩余量大于等于20μm且小于等于100μm。