[發明專利]一種具有固定輔助邊的掩模板及其制作方法在審
| 申請號: | 201210524484.0 | 申請日: | 2012-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN103869601A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 魏志凌 | 申請(專利權)人: | 昆山允升吉光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38 |
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| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 固定 輔助 模板 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種掩模板,具體涉及一種具有固定輔助邊的掩模板及其制作方法,屬于OLED掩模板制造領域。
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背景技術
OLED顯示屏作為繼CRT、LCD之后最具有發展潛力的第三代顯示技術,其發展日益受到人們的關注,目前,制備高質量OLED屏的一種核心技術是采用高精密OLED掩模板在ITO玻璃基板上蒸鍍R、G、B三原色制得。作為掩模介質的OLED掩模板的精度會直接影響到最終OLED屏的質量,因此業內非常重視OLED掩模板制作的每個環節。一個完整OLED掩模板制造過程包括:具有開口圖案掩模板的制作→掩模板的固定→掩模板的包裝。其中掩模板的固定環節具體是將掩模板繃拉平整后通過激光焊接或者其他連接方式固定在一個外框上,為了便于繃拉,掩模板的外圍會留有一個用于繃拉的區域,掩模板固定好后,用于繃拉的區域需要裁除,通常裁除手段是通過機械裁剪等方法,如此會引起掩模板邊緣曲翹甚至使得裁剪區域附近固定點脫落,影響最終產品質量。因此,業界亟需一種能夠在OLED掩模板制造過程中解決此種缺陷的方法。
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發明內容
有鑒于此,需要克服現有技術中的上述缺陷中的至少一個。本發明提供了一種具有固定輔助邊的掩模板及其制作方法
所述具有固定輔助邊的掩模板,包括掩模板主體、輔助邊及半刻線區,所述輔助邊設置在所述掩模板主體外側通過所述半刻線區與所述掩模板主體連接。
根據本專利背景技術中對現有技術所述,目前工藝中掩模板的固定環節具體是將掩模板繃拉平整后通過激光焊接或者其他連接方式固定在一個外框上,為了便于繃拉,掩模板的外圍會留有一個用于繃拉的區域,掩模板固定好后,用于繃拉的區域需要裁除,通常裁除手段是通過機械裁剪等方法,如此會引起掩模板邊緣曲翹甚至使得裁剪區域附近固定點脫落,影響最終產品質量;而本發明提供的所述具有固定輔助邊的掩模板具有與傳統工藝中功能類似的輔助邊,所述具有固定輔助邊的掩模板在連接并固定在外框上后由于所述半刻線區的存在,可以很方便省力的將輔助邊切除,并大大降低了傳統工藝剪切過程中對原有掩模板上絲網的影響,也避免了傳統工藝中的掩模板邊緣曲翹甚至使得裁剪區域附近固定點脫落,大大提高了生產效率。
另外,根據本發明公開的具有固定輔助邊的掩模板還具有如下附加技術特征:
可選地,所述輔助邊設置在掩模板主體的四周形成封閉外框且通過所述半刻線區與所述掩模板主體連接。
可選地,所述輔助邊設置在掩模板主體的兩對邊形成開放外框且通過所述半刻線區與所述掩模板主體連接。
通常情況下,所述掩模板主體為四邊形的絲網,所述輔助邊可以在所述掩模板主體的四個周邊設置形成一個四邊形的封閉的外圍邊框,并通過所述半刻線與所述掩模板主體聯接;但在某些情況下,所述輔助邊只是在所述掩模板主體的兩個對邊設置形成一個平行的開放的外圍邊框,即僅有兩個對邊的外圍邊框,同時通過所述半刻線與所述掩模板主體聯接。
進一步地,所述半刻線區為厚度小于所述掩模板主體厚度且小于所述輔助邊厚度的狹長區域。
優選地,所述半刻線與固定掩模板主體的外框形狀尺寸相適應,即半刻線區形成的外邊形狀與外框形狀保持一致或基本一致,在去除輔助邊后,掩模板主體外邊能與外框邊緣吻合。
所述輔助邊及所述半刻線區的存在是為了在所述掩模板連接并固定在外框進行裁切后降低裁切過程中對掩模板的影響,因此連接所述掩模板主體和所述輔助邊的半刻線區為所述掩模板主體厚度且小于所述輔助邊厚度的狹長區域,這樣一方面能將固定連接邊緣限制在所述半刻線區內,避免裁切過程中對所述半刻線區內的所述掩模板主體的影響,同時,大大降低了裁切力,節能且高效。
在實際應用中,所述半刻線區的厚度設置應由以下原則確定:半刻線區13能夠承受外界將掩模板拉緊繃平的水平拉力(相對圖中所示方位)而不斷裂,同時也能在相對較小的剪切力(垂直于掩模板板面)下斷開。
進一步地,所述半刻線區設置有通孔。
優選地,所述通孔均勻分布。
所述通孔的設置進一步降低了裁切力,而均勻分布的通孔則可以使裁切力更加均勻,形成良好的切口斷面。
可選地,所述半刻線區邊緣設置有大開口。
優選地,所述大開口對稱分布在所述半刻線邊緣。
所述大開口的設置可以更好地提供裁切的起始位置,使起始的裁切力更小,
本發明還提供了相應的掩模板的制作方法,其特征包括:
S1,壓貼感光干膜:在所述掩模板上待制半刻線區以及其兩側均壓貼感光干膜;
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





